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발광 재료의 제조 방법, 이에 의해 제조된 발광 재료 및 이를 포함하는 발광 소자

  • 기술번호 : KST2022003533
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1전구체 및 제1용매를 포함하는 제1전구체 용액과 제2전구체 및 제2용매를 포함하는 제2전구체 용액을 혼합하여 침전을 형성하는 단계; 및 상기 침전을 분리하여 건조함으로써 발광 재료를 얻는 단계;를 포함하고, 상기 제1전구체의 상기 제1용매에 대한 용해도가 상기 제1전구체의 상기 제2용매에 대한 용해도보다 크고, 상기 제2전구체의 상기 제2용매에 대한 용해도가 상기 제2전구체의 상기 제1용매에 대한 용해도보다 큰, 발광 재료의 제조 방법, 이에 의해 제조된 발광 재료 및 이를 포함하는 발광 소자가 제시된다.
Int. CL C09K 11/66 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC C09K 11/665(2013.01) H01L 51/5012(2013.01)
출원번호/일자 1020200126372 (2020.09.28)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0042933 (2022.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용철 대한민국 서울특별시 서초구
2 박남규 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-1035508-08
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번호 청구항
1 1
제1전구체 및 제1용매를 포함하는 제1전구체 용액과 제2전구체 및 제2용매를 포함하는 제2전구체 용액을 혼합하여 침전을 형성하는 단계; 및상기 침전을 분리하여 건조함으로써 발광 재료를 얻는 단계;를 포함하고,상기 제1전구체의 상기 제1용매에 대한 용해도가 상기 제1전구체의 상기 제2용매에 대한 용해도보다 크고,상기 제2전구체의 상기 제2용매에 대한 용해도가 상기 제2전구체의 상기 제1용매에 대한 용해도보다 큰, 발광 재료의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1전구체는 25℃, 1기압 하에서, 상기 제1용매 100g 기준으로 1g 이상으로 용해되고,상기 제2전구체는 25℃, 1기압 하에서, 상기 제2용매 100g 기준으로 1g 이상으로 용해되는, 발광 재료의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1전구체 용액의 농도는 25℃, 1기압 하에서, 1M 이상이고,상기 제2전구체 용액의 농도는 80℃, 1기압 하에서, 1M 이상인, 발광 재료의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1용매는 물을 포함하고,상기 제2용매는 헥사메틸포스포아마이드(HMPA)를 포함하는, 발광 재료의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1전구체 용액과 상기 제2전구체 용액은 각각 산 및/또는 염기를 미포함하는, 발광 재료의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제1전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고,상기 제2전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는, 발광 재료의 제조 방법:003c#화학식 1003e#A1X1003c#화학식 2003e#B2X22상기 화학식 1 및 2 중,A1는 알칼리 금속이고,B2는 Pb 또는 Sn이고,X1 및 X2는 서로 독립적으로, 할로겐이다
7 7
제1항에 있어서,상기 제1전구체는 CsCl, CsBr 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,상기 제2전구체는 PbCl2, PbBr2 또는 이의 임의의 조합을 포함하는, 발광 재료의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1전구체는 CsI를 더 포함하거나,상기 제2전구체는 PbI2를 더 포함하거나, 또는상기 제1전구체는 CsI를 더 포함하고, 상기 제2전구체는 PbI2를 더 포함하는, 발광 재료의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제1전구체와 상기 제2전구체의 몰비는 0
10 10
제1항에 있어서,상기 발광 재료는 25℃, 1기압 하에서, 상기 제1용매 100g 기준으로 0
11 11
제1항에 있어서,상기 발광 재료는 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 발광 화합물을 포함하는, 발광 재료의 제조 방법:003c#화학식 3003e#A3B3X33003c#화학식 4003e#A4B42X45003c#화학식 5003e#A54B5X56상기 화학식 3 내지 5 중,A3, A4 및 A5는 서로 독립적으로, 적어도 1종의 알칼리 금속이고,B3, B4 및 B5는 서로 독립적으로, Pb, Sn 또는 이들의 임의의 조합이고,X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로, 적어도 1종의 할로겐이다
12 12
제11항에 있어서,상기 제1전구체와 상기 제2전구체의 몰비는 1:1 내지 1
13 13
제11항에 있어서,상기 제1전구체와 상기 제2전구체의 몰비는 1
14 14
제11항에 있어서,상기 제1전구체와 상기 제2전구체의 몰비는 4
15 15
제1항에 있어서,상기 발광 재료 및 제3용매를 포함하는 혼합물을 기판 상에 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제4용매를 제공하여 결정화하는 단계; 및상기 기판을 열처리함으로써 상기 제3용매 및 상기 제4용매를 제거하는 단계; 를 더 포함하는, 발광 재료의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서,상기 발광 재료 및 제3용매를 포함하는 혼합물을 열처리하는 단계를 더 포함하는, 발광 재료의 제조 방법
17 17
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 발광 재료의 제조 방법에 의해 제조된, 발광 재료
18 18
제1전극;상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층;을 포함하고,상기 발광층은 제17항의 발광 재료를 포함하는, 발광 소자
19 19
제18항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및/또는 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 포함하는, 발광 소자
20 20
제18항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이 및/또는 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 전하 조절층을 포함하는, 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.