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고분자 매트릭스; 및상기 고분자 매트릭스 내부에 분산된 탄소나노튜브(carbon nanotube; CNT) 및 육방정계 질화 붕소(hexagonal boron nitride; h-BN)를 포함하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제1항에 있어서,상기 복합 소재에 포함된 상기 CNT의 함량은 5 내지 15 중량% 인 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제2항에 있어서,상기 복합 소재에 포함된 상기 h-BN의 함량은 상기 CNT 함량의 1 내지 10 배 인 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제3항에 있어서,상기 복합 소재에 포함된 상기 CNT의 함량은 5 내지 10 중량% 이고, 상기 h-BN의 함량은 상기 CNT 함량의 1
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제1항에 있어서,상기 CNT는 1 내지 20 μm의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제1항에 있어서,상기 h-BN은 10 내지 50 μm의 크기를 가지는 판상 입자인 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제1항에 있어서,상기 방열 및 전자파 차폐 복합 소재는 1
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제7항에 있어서상기 복합 소재에 포함된 상기 CNT의 함량은 9 내지 11 중량%이고, 상기 h-BN의 함량은 15 내지 30 중량% 이며,상기 방열 및 전자파 차폐 복합 소재는 1
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제1항에 있어서,상기 방열 및 전자파 차폐 복합 소재는 3 내지 6 W/mK의 방열 성능을 가지는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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제1항에 있어서,상기 CNT는 다중벽(multi-walled) CNT인 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재
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CNT 및 h-BN를 혼합하여 충진재를 제조하는 제1 단계; 및상기 충진재를 분산매에 분산하여 복합 소재를 제조하는 제2 단계;를 포함하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 단계에서 CNT 및 h-BN은 중량비 1:1 내지 1:8로 혼합되는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 충진재는 상기 복합 소재의 11 내지 65 중량%가 되도록 분산매에 분산되는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 충진재는 상기 복합 소재의 20 내지 50 중량%가 되도록 분산매에 분산되는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 CNT는 다중벽(multi-walled) CNT로 준비되는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 h-BN은 800 내지 900 ℃에서 3 내지 5시간 열처리된 후, 유기 용매에 분산된 상태에서 초음파 처리되어 박리된 형태로 준비되는 것을 특징으로 하는,방열 및 전자파 차폐 복합 소재 제조 방법
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전자 소자; 및상기 전자 소자의 외부에 형성되어 상기 전자 소자로부터 발생하는 열을 방출하고 전자파를 차폐하는 차폐부;를 포함하고,상기 차폐부는 제1항 내지 제10항에 따른 방열 및 전자파 차폐 복합 소재를 포함하는,방열 및 전자파 차폐 성능이 향상된 전자 장치
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