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2GHz 이상의 고주파수 대역의 전자파를 차폐하는 전자파 차폐재에 있어서,제1 전도도를 갖는 제1 물질로 형성된 제1 차폐층;상기 제1 차폐층 상에 적층되고, 상기 제1 전도도보다 큰 제2 전도도를 갖는 제2 물질로 형성된 제2 차폐층;상기 제2 차폐층 상에 적층되고, 상기 제2 전도도보다 작은 제3 전도도를 갖는 제3 물질로 형성된 제3 차폐층; 및상기 제3 차폐층 상에 적층되고, 상기 제3 전도도보다 큰 제4 전도도를 갖는 제4 물질로 형성된 제4 차폐층;을 포함하고,상기 제2 차폐층 및 제4 차폐층 각각의 두께는, 적어도 상기 제1 차폐층 및 제3 차폐층 각각의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는, 전자파 차폐재
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제1항에 있어서,상기 제1 차폐층의 두께는 상기 제3 차폐층의 두께와 동일하거나, 또는 상이하고,상기 제2 차폐층의 두께는 상기 제4 차폐층의 두께와 동일하거나, 또는 상이한 것인, 전자파 차폐재
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제1항에 있어서,상기 제1 차폐층 및 제3 차폐층 중 하나의 층은 상기 제1 내지 제4 차폐층 중에서 가장 얇은 두께를 가지며,상기 제2 차폐층 및 제4 차폐층 중 하나의 층은 상기 제1 내지 제4 차폐층 중에서 가장 두꺼운 두께를 갖는 것인, 전자파 차폐재
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제1항에 있어서,상기 제1 물질 및 상기 제3 물질은 서로 독립적으로 Ni, Fe 및 Co로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 금속, 합금, 또는 상기 금속의 산화물, 질화물, 탄화물 또는 황화물을 포함하고,상기 제2 물질 및 상기 제4 물질은 서로 독립적으로 Cu, Ag, Au 또는 Al을 함유하는 금속을 포함하는 것인, 전자파 차폐재
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제4항에 있어서,상기 제1 물질 및 제3 물질은 강자성 또는 상자성 특성을 갖는 것인, 전자파 차폐재
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제1항에 있어서,상기 제1 물질 및 상기 제3 물질은 서로 독립적으로 Cr, Ti, Ta, Sn, W, Zn 및 Mo 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 금속, 합금, 또는 상기 금속의 산화물, 질화물, 탄화물 또는 황화물을 포함하고,상기 제2 물질 및 상기 제4 물질은 서로 독립적으로 Cu, Ag, Au 또는 Al을 함유하는 금속을 포함하는 것인, 전자파 차폐재
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제6항에 있어서,상기 제1 물질 및 제3 물질은 비자성 특성을 갖는 것인, 전자파 차폐재
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8
제1항에 있어서,상기 제2 차폐층 및 제4 차폐층 각각의 두께는 상기 제1 내지 제4 차폐층 전체 두께의 25 내지 48%이고,상기 제2 차폐층 및 제4 차폐층 중에서 큰 두께를 갖는 하나의 층의 두께에 대한 상기 제1 차폐층 및 제3 차폐층 각각의 두께의 비는 1 이상 19 이하인 것을 특징으로 하는, 전자파 차폐재
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제8항에 있어서,상기 제2 차폐층 및 제4 차폐층 중에서 큰 두께를 갖는 하나의 층의 두께에 대한 상기 제1 차폐층 및 제3 차폐층 각각의 두께의 비는 1 이상 9 이하인 것을 특징으로 하는, 전자파 차폐재
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10
기판 상에 배치된 반도체 칩; 및상기 반도체 칩 상에 배치된 상기 제1항 내지 제9항 중 선택된 어느 한 항의 전자파 차폐재;를 포함하고,상기 전자파 차폐재는 상기 제1 차폐층이 상기 반도체 칩과 인접하게 배치된 것인,반도체 칩 장치
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11
기판 상에 배치된 반도체 칩; 및상기 반도체 칩 상에 배치된 상기 제1항 내지 제9항 중 선택된 어느 한 항의 전자파 차폐재;를 포함하고,상기 전자파 차폐재는 상기 제4 차폐층이 상기 반도체 칩과 인접하게 배치된 것인,반도체 칩 장치
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