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선택적 양극산화 패턴 형성을 위한 방법

  • 기술번호 : KST2014028862
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양극산화방법을 이용하여 금속기판에 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법은, 금속기판의 표면을 산화시켜 금속배선의 패턴과 같은 모양의 산화막패턴을 형성하는 단계; 상기 산화막패턴을 마스크로 하여 상기 금속기판을 선택적으로 양극산화함으로써 절연부를 형성하는 단계; 및 상기 산화막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 낮은 비용으로 선택적 양극산화를 실시하여 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다. 금속기판, 금속배선, 양극산화, 선택적 양극산화, 아노다이징
Int. CL H01L 21/32 (2006.01) H01L 21/30 (2006.01)
CPC H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/0337(2013.01)
출원번호/일자 1020090055100 (2009.06.19)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1073486-0000 (2011.10.07)
공개번호/일자 10-2010-0136798 (2010.12.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 장주희 대한민국 부산광역시 남구
3 윤형철 대한민국 경기도 부천시 소사구
4 정근희 대한민국 서울특별시 금천구
5 이창형 대한민국 경상북도 경산시
6 최우성 대한민국 울산광역시 중구
7 박정갑 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0373533-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0066039-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0068952-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0235167-22
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0565810-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속기판에 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 금속기판의 표면을 산화시켜 금속배선의 패턴과 같은 모양의 산화막패턴을 형성하는 단계; 상기 산화막패턴을 마스크로 하여 상기 금속기판을 선택적으로 양극산화함으로써 절연부를 형성하는 단계; 및 상기 산화막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 산화막패턴을 형성하는 단계가, 상기 금속기판의 표면에 상기 금속배선의 패턴이 비어있는 마스크부를 형성하고, 상기 마스크부 사이에 드러난 상기 금속기판의 표면을 양극산화한 뒤에 상기 마스크부를 제거하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 산화막패턴을 형성하는 단계가, 상기 금속기판의 표면 전체를 양극산화한 뒤에 상기 금속배선의 패턴이 채워진 마스크부를 형성하고, 상기 마스크부 사이에 드러난 산화막을 제거하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
4 4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 마스크부가 드라이필름인 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
5 5
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 금속기판의 표면을 양극산화하는 방법이 장벽형 양극산화피막을 형성하는 양극산화방법인 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 양극산화에 의해 산화된 부분의 두께가 400~600nm인 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 절연부를 형성하는 단계가, 기공형 양극산화피막을 형성하는 양극산화방법인 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 절연부에 형성된 기공을 충전물로 충전하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 충전물이 레진인 것을 특징으로 하는 양극산화를 이용한 금속배선의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.