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은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036447
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계 효과 트랜지스터는, 기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함할 수 있다. 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은, 제1 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선의 적어도 일부를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 용액에 혼합시키는 단계; 상기 나노선이 혼합된 용액을 제1 기판에 주입하여 상기 제1 기판상에 나노선을 위치시키는 단계; 및 상기 제1 기판상에 상기 나노선을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 나노선, 산화물, 은 도핑, 산화아연, 전계 효과 트랜지스터
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01)
출원번호/일자 1020090085229 (2009.09.10)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1076690-0000 (2011.10.19)
공개번호/일자 10-2011-0027233 (2011.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20111026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 박동훈 대한민국 경기도 부천시 소사구
3 김경원 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 주영라이팅 전라남도 광양시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0556763-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0171304-59
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0397996-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0397997-55
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0592283-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상의 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막상에 서로 이격하여 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 위치하며, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선을 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 상기 게이트 절연막상에 위치하며 티타늄으로 이루어진 제1 층; 및 상기 제1 층상에 위치하며 도전 물질로 이루어진 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제2 층은 금 및 알루미늄 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
5 5
제1 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계; 상기 나노선의 적어도 일부를 상기 제2 기판으로부터 분리하여 용액에 혼합시키는 단계; 상기 나노선이 혼합된 용액을 제1 기판에 주입하여 상기 제1 기판상에 나노선을 위치시키는 단계; 및 상기 제1 기판상에 상기 나노선을 사이에 두고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판상에 촉매 물질을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질을 상기 제2 기판과 인접하여 위치시키는 단계; 상기 타겟 물질에 레이저를 인가하여 기화시키는 단계; 및 기화된 상기 타겟 물질로부터 상기 제2 기판상에 나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.