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매설층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036457
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터는, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 제1 층, 및 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2 층을 포함하는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함할 수 있다. 이때 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하일 수 있다. 또한, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상일 수 있다. 이와 같이 구성된 박막 트랜지스터는 향상된 구동 특성을 가지며, 제조 과정에서 추가적인 열처리 공정을 필요로 하지 않으므로 저온 공정이 용이하다. 박막 트랜지스터, 매설층, 이중 채널, 이중층, 2단 채널층, 갈륨 도핑, 갈륨아연산화물, 산화물 반도체
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090105417 (2009.11.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1088366-0000 (2011.11.24)
공개번호/일자 10-2011-0048723 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20111201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 정유진 대한민국 인천광역시 남구
3 조경철 대한민국 울산광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0675448-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015713-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0150974-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0367984-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0367986-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0682006-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 제1 층, 및 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 제2 층을 포함하되, 상기 제1 층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하지 않는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함하되, 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하이며, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 층은, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 불소(F)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합과 아연(Zn)을 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제2 층은, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 불소(F)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합과 아연(Zn)을 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 제1 층을 형성하고, 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸는 제2 층을 형성함으로써 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막상에, 상기 제2 층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계로서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 상기 제1 층과 접촉하지 않도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하이며, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제1 층을 형성하고, 상기 제1 층을 적어도 부분적으로 둘러싸는 제2 층을 형성함으로써 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층상에, 상기 제2 층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계로서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 상기 제1 층과 접촉하지 않도록 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널층상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 층의 저항은 상기 제2 층의 저항 이하이며, 상기 제1 층의 캐리어 농도는 상기 제2 층의 캐리어 농도 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는, 물리 기상 증착법 또는 화학 기상 증착법에 의해 상기 제1 층 및 상기 제2 층 중 하나 이상을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제1 층은, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 불소(F)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합과 아연(Zn)을 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제2 층은, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 불소(F)로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합과 아연(Zn)을 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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