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상호 도핑된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036461
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 상호 도핑된 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 가질 수 있다. 박막 트랜지스터, TFT, 산화물 반도체, 상호 도핑, 아연
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090128764 (2009.12.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1097203-0000 (2011.12.15)
공개번호/일자 10-2011-0072007 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 이득희 대한민국 대구광역시 달성군 옥포
3 조경철 대한민국 울산광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 대국기술 전라남도 여수시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0792543-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034313-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0216035-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0467814-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0467815-30
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0732940-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 티타늄으로 이루어지는 제1 층 및 도전 물질로 이루어지는 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계에서, 상기 기체 분위기는 비활성 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
리튬, 나트륨, 칼륨, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나와 스칸듐, 이트륨, 붕소, 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 조합 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층; 및 상기 채널층과 접촉하며 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 상기 채널층은 산소를 포함하는 기체 분위기에서 열처리되어 산소 공공이 감소되도록 구성되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 티타늄으로 이루어지는 제1 층 및 도전 물질로 이루어지는 제2 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
삭제
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