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평탄화된 나노 구조체를 포함하는 유기발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037244
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광전자소자에 관한 것으로, 나노 구조체를 형성시킨 기판을 유기 발광 전자 소자에 적용하기 위해 기판을 효과적으로 평탄화하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 주기성 또는 비주기성을 갖는 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체, 상기 나노 구조체 위에 형성된 평탄화층, 상기 평탄화층 위에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 위에 형성된 유기물층, 및 상기 유기물층 위에 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 평탄화층이 평탄화판에 의해 4~6bar로 가압되어 평탄화되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에서는 미쇄패턴을 갖는 나노구조체를 평탄화를 함으로써 미세 패턴의 모서리에 의해 발생하는 누설전류를 최소화하여 이로 인해 발생하는 효율감소를 막고 전반사와 광 도파로 모드로 인해 손실되는 광을 기판 외부로 추출함으로써 외부 양자 효율이 향상된 유기 발광 소자를 실현할 수 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자 1020100060753 (2010.06.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1176885-0000 (2012.08.20)
공개번호/일자 10-2012-0000402 (2012.01.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장주 대한민국 서울특별시 종로구
2 조환희 대한민국 서울특별시 마포구
3 박보익 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍균 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 *** (문정동) B동 ***호(케이아이피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0411567-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.23 수리 (Accepted) 9-1-2011-0054923-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0484093-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0853726-74
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0944972-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1050827-43
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1050826-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0301135-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 상에 형성된 주기성 또는 비주기성을 갖는 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체, 상기 나노 구조체 위에 형성되고 나노 구조체보다 굴절률이 작거나 큰 물질로 이루어진 평탄화층, 상기 평탄화층 위에 형성된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 위에 형성된 유기물층, 및 상기 유기물층 위에 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기발광소자의 제조방법에 있어서, 상기 나노 구조체는 원형 또는 다각형의 기둥형상 미세 패턴을 갖으며, 열경화성 또는 광경화성 물질을 포함하는 유기물, 무기물 또는 유기물과 무기물의 조합 중 적어도 어느 하나로 이루어지며,상기 평탄화층은 평탄화판에 의해 3 ~ 7bar로 가압하여 평탄화되고, 상기 평탄화층은 평탄화판으로 가압하는 동시에 또는 가압 전후에 50~200℃에서 10~20분간 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 산화타이타늄, 산화아연 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 무기물, 폴리다이메틸실록세인, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리우레탄아크릴레이트 및 퍼플루오로폴리에테르로 이루어진 군에서 선택된 1종의 유기물, 또는 상기 무기물과 유기물의 혼합물을 이용하여 졸-겔법, 스퍼터링법, 증착법, 증착 중합법, 전자 빔 증착법, 플라즈마 증착법, 화화기상 증착법, 스핀 코팅법, 잉크젯법 또는 오프셋 인쇄법으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 평탄화판은 유리, 실리콘, 폴리다이메틸실록세인, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리우레탄아크릴레이트 및 퍼플루오로폴리에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법
4 4
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 세계수준의 연구중심대학원육성사업 지속가능성을 위한 하이브리드재료