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자가 조립 방식에 의한 조밀 적층 모노레이어 제조 방법 및 상기 모노레이어를 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014040351
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 상기 나노와이어들을 담지하는 나노와이어 용액을 준비하는 단계와; (b) 용기에 담겨 있고 상기 나노와이어 용액과 혼화 가능한 혼화성 용액에 상기 나노와이어 용액을 적하시켜, 상기 나노와이어들로 이루어진 조밀 적층된 모노레이어를 상기 혼화성 용액 표면 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100120191 (2010.11.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1100618-0000 (2011.12.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.30)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 백홍구 대한민국 서울특별시 강남구
3 이태일 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0785576-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097370-44
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 등록결정서
Decision to grant
2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0755086-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법으로서,(a) 상기 나노와이어들을 담지하는 나노와이어 용액을 준비하는 단계와;(b) 용기에 담겨 있고 상기 나노와이어 용액과 혼화 가능한 혼화성 용액에 상기 나노와이어 용액을 적하시켜, 상기 나노와이어들로 이루어진 조밀 적층된 모노레이어를 상기 혼화성 용액 표면 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 조밀 적층된 모노레이어를 형성하는 과정은 상기 나노와이어 용액의 일부가 상기 혼화성 용액 표면 상에서 전개되는 과정과, 그 전개되는 나노와이어 용액에 담지되어 있는 나노와이어들이 공기와 상기 혼화성 용액 사이의 표면 장력에 의해 포집되는 과정과, 상기 적하된 나노와이어 용액이 증발됨에 따라 생기는 모세관 힘에 의해 포집 상태를 유지하면서 조밀 적층된 모노레이어를 형성하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 조밀 적층된 모노레이어의 면적은 상기 나노와이어 용액 중 나노와이어의 농도와 상기 혼화성 용액 대 상기 나노와이어 용액의 초기 부피비에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 나노와이어 용액 중 나노와이어의 농도가 클수록 상기 조밀 적층된 모노레이어의 면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 나노와이어 용액에 대한 상기 혼화성 용액의 부피비가 클수록 상기 조밀 적층된 모노레이어의 면적이 증가하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 혼화성 용액으로서 산성 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 나노와이어 용액으로서 알콜 계열의 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 나노와이어 용액으로서 이소프로필 알코올(IPA)을 사용하고, 상기 산성 용액으로서 염산 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어들을 2차원의 박막 형태로 제조하는 방법
9 9
(1) 기판을 준비하는 단계와;(2) 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와;(3) 상기 게이트 전극 상에 게이트 유전체 층을 형성하는 단계와;(4) 상기 게이트 유전체 층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 서로 연결하는 모노레이어를 형성하는 단계로서, 상기 모노레이어는, 나노와이어들을 담지하는 나노와이어 용액을 준비하는 단계와, 용기에 담겨 있고 상기 나노와이어 용액과 혼화 가능한 혼화성 용액에 상기 나노와이어 용액을 적하시켜, 상기 나노와이어들로 이루어진 조밀 적층된 모노레이어를 상기 혼화성 용액 표면 상에 형성하는 단계를 통해 형성하고, 상기 형성된 모노레이어와 표면이 소수성 처리된 모노레이어 담지체를 상기 모노레이어와 접촉시켜 상기 모노레이어를 상기 모노레이어 담지체로 전사시킨 후, 상기 모노레이어가 전사된 모노레이어 담지체를 상기 게이트 유전체 층에 접촉시켜, 상기 담지체 상의 모노레이어를 상기 게이트 유전체 층 상에 형성하는 모노레이어 형성 단계와;(5) 상기 모노레이어 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 (4)의 단계에서 상기 모노레이어가 전사된 모노레이어 담지체를 새로운 모노레이어 담지체와 1회 이상 반복하여 등각 접촉시켜, 상기 모노레이어를 구성하는 나노와이어들의 직경을 정규화한 후에, 그 담지체를 상기 게이트 유전체 층에 접촉시켜, 상기 담지체 상의 모노레이어를 상기 게이트 유전체 층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 모노레이어 담지체는 PDMS로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
12 12
청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (4)의 단계에서 상기 조밀 적층된 모노레이어를 형성하는 과정은 상기 나노와이어 용액의 일부가 상기 혼화성 용액 표면 상에서 전개되는 과정과, 그 전개되는 나노와이어 용액에 담지되어 있는 나노와이어들이 공기와 상기 혼화성 용액 사이의 표면 장력에 의해 포집되는 과정과, 상기 적하된 나노와이어 용액이 증발됨에 따라 생기는 모세관 힘에 의해 포집 상태를 유지하면서 조밀 적층된 모노레이어를 형성하는 단계를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 혼화성 용액으로서 산성 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 나노와이어 용액으로서 알콜 계열의 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 나노와이어 용액으로서 이소프로필 알코올(IPA)을 사용하고, 상기 산성 용액으로서 염산 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
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전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 미리 원하는 형태로 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 유전체 층과, 상기 게이트 유전체 층 상에 형성되어 소스 전극과 드레인 전극을 서로 연결하는 모노레이어와,상기 모노레이어 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 모노레이어는 나노와이어가 조밀적층되어 이루어지고, 상기 나노와이어들이 상기 소스 및 드레인 전극을 서로 연결하고 있으며, 상기 모노레이어는, 나노와이어들을 담지하는 나노와이어 용액을 준비하는 단계와, 용기에 담겨 있고 상기 나노와이어 용액과 혼화 가능한 혼화성 용액에 상기 나노와이어 용액을 적하시켜, 상기 나노와이어들로 이루어진 조밀 적층된 모노레이어를 상기 혼화성 용액 표면 상에 형성하는 단계를 통해 형성하고, 상기 형성된 모노레이어와 표면이 소수성 처리된 모노레이어 담지체를 상기 모노레이어와 접촉시켜 상기 모노레이어를 상기 모노레이어 담지체로 전사시킨 후, 상기 모노레이어가 전사된 모노레이어 담지체를 상기 게이트 유전체 층에 접촉시켜, 상기 담지체 상의 모노레이어를 상기 게이트 유전체 층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 게이트 유전체 층은 PVP(poly-4-vinylphenol)로 이루어져 있고, 상기 모노레이어를 구성하는 나노와이어들이 상기 게이트 유전체 층내로 부분적으로 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 WCU 사업 IT-CONVERGENCE TECHNOLOGY BASED ON HIGH-PERFORMANCE NANOMATERIALS
2 지식경제부 연세대학교 산학협력단 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발 유/무기 나노복합체 계면제어 및 후처리 기술개발