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다치화 구조를 갖는 ＳＴＴ-ＭＲＡＭ 메모리 소자와 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2014042554
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다치화 구조를 갖는 STT-MRAM 메모리 소자 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 STT-MRAM 메모리 소자는 하부 전극과 상부 전극 사이에 메모리층이 배치된다. 메모리층은 임계 전류 밀도 이상의 전류가 인가될 때, 스핀 전달 토크(Spin-Transfer Torque, STT) 현상을 통해 자화가 반전되는 복수의 자화 반전 소자와 전도층이 교번적으로 적층되어 구조이다. 그리고 복수의 자화 반전 소자 중 적어도 두 개는 임계 전류 밀도가 서로 다르다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) G11C 5/02 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020090012322 (2009.02.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1040163-0000 (2011.06.02)
공개번호/일자 10-2010-0069534 (2010.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080127543   |   2008.12.15
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0093144-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058540-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0435589-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0749855-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0749847-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296904-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 임계 전류 밀도 이상의 전류가 인가될 때, 스핀 전달 토크(Spin-Transfer Torque, STT) 현상을 통해 자화가 반전되는 복수의 자화 반전 소자와 전도층이 교번적으로 적층되어 있는 메모리층; 상기 메모리층 상에 형성되어 있는 상부 전극;을 포함하며, 상기 자화 반전 소자는 강자성체로 이루어진 고정층; 상기 고정층의 일측에 형성되며, 절연체로 이루어진 절연층; 및 상기 고정층과의 사이에 상기 절연층이 배치되도록 상기 절연층의 일측에 형성되며, 강자성체로 이루어진 자유층;을 포함하고, 상기 복수의 자화 반전 소자 중 적어도 두 개는 임계 전류 밀도가 서로 다른 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 자화 반전 소자의 저항이 서로 다른 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 자화 반전 소자는 두 단자 소자인 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 임계 전류 밀도는 10 MA/cm2 이하인 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 선택용 트랜지스터의 드레인 영역과 연결되는 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 고정층의 자화는 상기 고정층의 상면과 평행한 방향이고 상기 자유층의 자화는 상기 자유층의 상면과 평행한 방향으로 배열되거나, 상기 고정층의 자화는 상기 고정층의 상면과 직교하는 방향이고 상기 자유층의 자화는 상기 자유층의 상면과 직교하는 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 강자성체는 CoFeB, CoFe, FePt, Pt, Pd, 강자성 물질로 이루어진 인공격자 및 반금속(half-metal) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 절연체는 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 금속 산화물은 AlO 및 MgO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자
11 11
하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성되며 임계 전류 밀도 이상의 전류가 인가될 때 STT 현상을 통해 자화가 반전되고 상기 임계 전류 밀도가 서로 다른 복수의 자화 반전 소자와 전도층이 교번적으로 적층되어 있는 메모리층과, 상기 메모리층 상에 형성되어 있는 상부 전극을 구비하는 STT-MRAM 메모리 소자를 준비하는 단계; 상기 자화 반전 소자에 구동 전류가 흐르도록 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 구동 전압을 인가하여, 상기 자화 반전 소자 중 적어도 하나의 자화 반전 소자의 자화를 반전시킴으로써, 각 자화 반전 소자의 자화 상태를 원하는 상태로 형성시키는 단계; 및 상기 자화 반전 소자의 자화 상태에 따라 정보를 기록하는 단계;를 포함하되, 상기 자화 반전 소자는 강자성체로 이루어진 고정층; 상기 고정층의 일측에 형성되며, 절연체로 이루어진 절연층; 및 상기 고정층과의 사이에 상기 절연층이 배치되도록 상기 절연층의 일측에 형성되며, 강자성체로 이루어진 자유층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자 구동방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 각 자화 반전 소자의 자화 상태를 원하는 상태로 형성시키는 단계는, 각 자화 반전 소자의 자화 상태가 원하는 상태가 되도록, 크기 또는 방향이 다른 하나 이상의 상기 구동 전류가 시간 간격을 두고 상기 자화 반전 소자에 흐르도록 상기 구동 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자 구동방법
13 13
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 자화 반전 소자의 개수가 증가할수록, 상기 구동 전압의 크기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자 구동방법
14 14
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 자화 반전 소자의 크기가 작아질수록, 상기 구동 전류의 크기가 작게 되도록 상기 구동 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 STT-MRAM 메모리 소자 구동방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.