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수직형 산화아연 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043381
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 레이저 리프트-오프(lift-off) 기술을 이용하여 제조한 수직형 산화아연 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 사파이어 기판과 제1 클래드층 사이에 레이저를 조사하여 기판을 분리시킴으로써 수직형 구조를 갖는 산화아연 발광소자를 구현할 수 있다. 또한, 활성층에서 발생되는 빛의 흡수를 차단하도록 제1 클래드층 일부를 식각하여 광 추출효율을 높인 수직형 산화아연 발광소자를 구현할 수 있다.산화아연(ZnO), 레이저, 리프트-오프(lift-off), 수직형 발광소자
Int. CL H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020090037733 (2009.04.29)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1136877-0000 (2012.04.09)
공개번호/일자 10-2010-0118830 (2010.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최용석 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 강장원 대한민국 광주광역시 북구
4 박태영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0261465-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077433-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0038246-67
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0203240-74
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0273587-75
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0376942-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0467253-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0467216-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0760845-97
12 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.01.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-5001779-46
13 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0195884-04
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번호 청구항
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기판 상에 제1 클래드층, MgxCdyZn1-x-yO(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#x+y003c#1)의 장벽층과 MgxCdyZn1-x-yO(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1, 0003c#x+y003c#1)의 우물층으로 이루어진 양자우물 구조의 활성층 및 p-형 산화아연 반도체로 구성된 제2 클래드층을 형성하는 단계;상기 제2 클래드층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;리셉터 기판 상에 제2 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층이 대향하도록 배치하고 열압착하는 단계;상기 기판을 가공하여 얇게하는 단계;상기 기판을 레이저 리프트-오프 공정에 의해 분리하는 단계;상기 제1 클래드층을 식각하여 얇게하는 단계;얇아진 상기 제1 클래드층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 리셉터 기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극까지 절단하여 개별 칩으로 분리하는 단계를 포함하는 수직형 산화아연 발광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 리셉터 기판은,Si, GaAs, GaP, InP, CuW 및 Au 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 산화아연 발광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 열압착하는 단계는,온도는 100 ~ 600℃, 압력은 1~10MPa에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 산화아연 발광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 레이저 리프트-오프 공정은,ArF, KrF, XeCl, XeF, KrCl, F2, Kr2, Xe2, XeBr, CaF2, Cl2 및 N2 중선택된 어느 하나의 엑시머 레이저에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 산화아연 발광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제1 클래드층을 식각하여 얇게하는 단계는,RIE 및 ICP/RIE 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 산화아연 발광소자 제조방법
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