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분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 증착조건을 최적화한 Co-Cu 다층 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047370
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분자동역학 시뮬레이션을 이용한 Co-Cu 다층 박막의 증착 조건 설계방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Co-Cu 다층 박막 제조시 최적의 증착 조건을 설계하기 위해, 기판 온도와 Co 원자의 입사 에너지를 변수로 사용하여 분자동역학 시뮬레이션을 수행하고, 상기 변수에 따라 표면 거침도가 최소화하도록 기판 온도와 입사 에너지 범위를 선정하는 Co-Cu 다층 박막의 증착 조건 설계방법에 관한 것이다. 상기 방법에 의해 종래 여러 번 반복 실험할 필요없이 최적 조건의 선정이 가능하고, 증착 원자의 확산경로 추적이 가능하여 증착되는 박막의 성장 거동 제어 및 예측이 가능하며, 이렇게 제조된 다층 박막은 향상된 규칙도 및 균일성을 갖는다. 분자동역학, Co-Cu 다층 박막, 입사 에너지, 온도, 표면거침도
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) G06F 19/00 (2018.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28568(2013.01)H01L 21/28568(2013.01)H01L 21/28568(2013.01)H01L 21/28568(2013.01)
출원번호/일자 1020070097750 (2007.09.28)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0950213-0000 (2010.03.23)
공개번호/일자 10-2009-0032469 (2009.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용재 대한민국 서울 강남구
2 김병현 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0699033-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0109334-72
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0276849-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0276847-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0384884-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0659606-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0659607-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0112617-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Co-Cu 다층 박막 증착시 분자동역학 시뮬레이션을 이용하여 증착 조건을 설계하기 위해, a) 기판 상에 Co-Cu 다층 박막을 형성하기 위한 변수로 기판 온도와 입사 에너지를 설정하고, b) 설정된 변수 조건으로 증착 시뮬레이션을 통해 기판 상에 Co 박막을 형성하고, 그 상부에 순차적으로 Cu 원자를 증착하여 Co 박막을 형성하고, c) 상기 Co 박막의 표면 거침도를 하기 수학식 4에 의해 계산하고, d) 계산된 표면 거침도가 0∼2Å이 되는 기판 온도와 입사 에너지를 추출하는 단계를 포함하는 Co-Cu 다층 박막의 증착 조건 설계방법: [수학식 4] (상기 식에서, W는 표면 거침도이고, 는 전체 원자들의 평균 높이이고, 는 i 번째 원자 에 대한 높이를 의미한다)
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 900∼1100 K이고, Co 원자의 입사 에너지 3∼6 eV인 것인 Co-Cu 다층 박막의 증착 조건 설계방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 Co 원자의 증착은 0
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.