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소스 전극;드레인 전극; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 채널층을 포함하되,상기 채널층은 SnMO로 표현되는 주석계 산화물(tin-based oxide)을 포함하고, 상기 M은 비금속 칼코겐 원소를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 M은 셀레늄(Se) 및 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 채널층은 SnMxO1-x로 표현되는 주석계 산화물을 포함하고,여기서, x는 0
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청구항 1에 있어서,상기 채널층은 SnMxO1-x로 표현되는 주석계 산화물을 포함하고,여기서, x는 0
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청구항 1에 있어서,상기 주석계 산화물은 비정질 상을 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 채널층은 상기 주석계 산화물의 밴드갭 에너지를 조절하기 위한 금속 원소를 더 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 6에 있어서,상기 금속 원소는 란타늄(La), 칼슘 (Ca), 스트론튬 (Sr), 이트륨(Y), 탄탈늄(Ta), 하프늄(Hf), 티타늄(Ti), 바륨 (Ba) 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 채널층은 P형 불순물을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 8에 있어서,상기 P형 불순물은 질소(N), 인(P), 및 비소(As) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,게이트 전극; 및상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 유전층을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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소스 전극;드레인 전극; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 P형 산화물 반도체층을 포함하되,상기 P형 산화물 반도체층은 SnMO를 포함하고,상기 M은 비금속 칼코겐 원소를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 11에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층의 적어도 일부는 비정질인 박막 트랜지스터
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청구항 11에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층은 비정질 상을 포함하는 SnSeO를 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 13에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층은 SnSexO1-x를 포함하고,여기서, x는 0
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청구항 13에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층은 SnSexO1-x를 포함하고,여기서, x는 0
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청구항 11에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층은 금속 원소를 더 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 11에 있어서,상기 P형 산화물 반도체층은 P형 불순물을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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청구항 11에 있어서,게이트 전극; 및상기 P형 산화물 반도체층과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 유전층을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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기판 상에 산화물 반도체층을 형성하는 것; 및상기 산화물 반도체층을 열처리하는 것을 포함하되,상기 산화물 반도체층은 SnMO를 포함하고,상기 M은 비금속 칼코겐 원소를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 19에 있어서,상기 산화물 반도체층을 형성하는 것은:Sn 타겟 및 SnM 타겟을 이용하는 스퍼터링 공정을 수행하는 것;상기 스퍼터링 공정 동안 산소 가스를 공급하는 것; 및상기 SnM 타겟에 인가되는 전력을 조절하여 상기 산화물 반도체층 내 상기 M의 함량을 조절하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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