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고이동도 이황화주석 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020014449
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법은, 일황화주석 박막 및 이황화주석 박막을 단계적으로 형성한 후 열처리를 통하여 고결정성과 연속성을 갖는 고품질의 고이동도 이황화주석 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01)
출원번호/일자 1020190038481 (2019.04.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0116724 (2020.10.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.04.02)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 서울특별시 성동구
2 최형수 서울특별시 성동구
3 박현우 서울특별시 성동구
4 이남규 서울특별시 성동구
5 최연식 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0338157-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0119945-75
6 등록결정서
Decision to grant		 2020.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0584174-96
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번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 온도 공정으로 고결정성 일황화주석(SnS) 박막을 형성하는 단계;상기 고결정성 일황화주석 박막 상에 존재하는 결함을 채우도록 상기 고결정성 일황화주석 박막 상에 상기 제1 온도 공정보다 낮은 제2 온도 공정으로 비결정성 이황화주석(SnS2) 박막을 형성하는 단계; 및상기 고결정성 일황화주석 박막 및 상기 비결정성 이황화주석 박막이 형성된 기판을 열처리 하는 단계를 포함하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법은,동일한 공정 챔버(chamber) 내에서 상기 제1 온도 조건에서 상기 제2 온도 조건으로의 온도 변화를 통한 인-시튜(in-situ) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 결함은 홀(hole), 크랙(crack) 또는 보이드(void)의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 고결정성 일황화주석 박막 및 비결정성 이황화주석 박막이 형성된 기판을 열처리 하는 상기 단계는,상기 열처리를 통하여 상기 고결정성 일황화주석 박막 및 상기 비결정성 이황화주석 박막이 연속적인 단일 상의 고이동도 이황화주석 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 단일 상의 고이동도 이황화주석 박막은 상기 고결정성 일황화주석 박막의 상변이와 상기 비결정성 이황화주석 박막의 결정화를 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판 상에 고결정성 일황화주석 박막을 형성하는 상기 단계는,TDMASn(Tetrakis(diemethylamino)tin) 반응체 및 황화수소(H2S) 반응 가스를 이용한 원자층증착법(ALD, Atomic Layer Deposition) 을 통하여 상기 고결정성 일황화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 온도 공정은 160 ℃ 내지 200 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 고결정성 일황화주석 박막 상에 비결정성 이황화주석 박막을 형성하는 상기 단계는,TDMASn(Tetrakis(diemethylamino)tin) 반응체 및 황화수소 반응 가스를 이용한 원자층증착법을 통하여 상기 비결정성 이황화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 온도 공정은 80 ℃ 내지 120 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 열처리는 황화수소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 열처리는 450 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고이동도 이황화주석 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노·소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 2차원 황화물의 대면적 저온 공정 개발