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다이아몬드 결정 조직의 단면이 방사형 주상조직을 갖는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드
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등방향 입상조직과 방사형 주상조직이 교번하여 층상으로 반복 적층된 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드
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수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 등방향 입상조직을 갖는 다결정 다이아몬드를 제조하며, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 4~5vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 방사형 주상조직을 갖는 다결정 다이아몬드를 제조하며, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 1~2vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 700~950℃인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 분말을 불균일하게 개별 산포한 상태에서, 화학기상증착법을 이용하여 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 기판 표면에 대해 불균일하게 텍스쳐링 처리를 한 상태에서, 화학기상증착법을 이용하여 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 등방향 입상조직의 다이아몬드 결정층과 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정층을 교번하여 반복 적층하며, 상기 등방향 입상조직의 다이아몬드 결정층의 형성시, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 4~5vol%이며, 상기 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정층의 형성시, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 1~2vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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제 20 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 700~950℃인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
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