| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
다이아몬드 결정 조직의 단면이 방사형 주상조직을 갖는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
등방향 입상조직과 방사형 주상조직이 교번하여 층상으로 반복 적층된 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 등방향 입상조직을 갖는 다결정 다이아몬드를 제조하며, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 4～5vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 15 |
15
수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 방사형 주상조직을 갖는 다결정 다이아몬드를 제조하며, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 1～2vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 16 |
16
제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 700～950℃인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
제 15 항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 분말을 불균일하게 개별 산포한 상태에서, 화학기상증착법을 이용하여 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 19 |
19
제 15 항에 있어서, 상기 기판 표면에 대해 불균일하게 텍스쳐링 처리를 한 상태에서, 화학기상증착법을 이용하여 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 20 |
20
수소(H2)와 메탄(CH4)을 전구체로 하는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 등방향 입상조직의 다이아몬드 결정층과 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정층을 교번하여 반복 적층하며, 상기 등방향 입상조직의 다이아몬드 결정층의 형성시, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 4～5vol%이며, 상기 방사형 주상조직의 다이아몬드 결정층의 형성시, 상기 수소(H2)와 메탄(CH4)의 혼합가스에서 메탄의 조성은 1～2vol%인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 700～950℃인 것을 특징으로 하는 신선 다이용 다이아몬드 제조방법
|
