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Ｎ―도핑된 그래핀을 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014053713
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 금속산화물 또는 금속과 같은 무기물에 의하여 N-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 이용하여 형성된 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/772(2013.01) H01L 29/772(2013.01) H01L 29/772(2013.01) H01L 29/772(2013.01)
출원번호/일자 1020110090645 (2011.09.07)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1275282-0000 (2013.06.10)
공개번호/일자 10-2013-0027199 (2013.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20130618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.07)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 유희준 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0699186-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038849-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0747808-92
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0113073-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0113072-35
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0390842-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재 양측에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 무기물에 의하여 N-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 포함하며,상기 무기물은 광활성을 가지고 있으며,광조사(photoirradiation)에 의하여 상기 무기물에 의한 상기 그래핀의 N-효과가 증가되는 것인, 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 무기물은 금속산화물, 금속황화물, 금속할로겐화물, 또는 금속의 나노입자를 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 무기물은 Ti, Zn, Au, Pt, Ag, Pd, Zr, Sr, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, In, Cd, Se, Sr, Ag, Pb, Bi 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속, 또는 상기 금속의 산화물, 황화물, 또는 할로겐화물을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 무기물은 TiO2, ZnO, CuO, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, HfO2, Si3N4, BaTiO3, V2O5, WO3, ZrO2, GaN, AlxGa1-xN, SiC, ZnS 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 무기물은 1 내지 100 nm의 크기를 가지는 나노입자인, 전계효과 트랜지스터
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 유리 또는 석영을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 또는 투명 플렉서블 기재인, 전계효과 트랜지스터
10 10
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 산화그래핀을 환원하여 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터
11 11
제 10 항에 있어서,상기 산화그래핀은 흑연을 산화제로 산화 처리시킨 산화흑연으로부터 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터
12 12
기재 양측에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고;상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 무기물에 의하여 N-도핑된 그래핀을 포함하는 채널층을 형성하고; 및상기 채널층에 광조사(photoirradiation)하는 것 을 포함하며,상기 무기물은 광활성을 가지고 있으며,광조사(photoirradiation)에 의하여 상기 무기물에 의한 상기 그래핀의 N-효과가 증가되는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 무기물은 금속산화물, 금속황화물, 금속할로겐화물, 또는 금속의 나노입자를 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제 12 항에 있어서,상기 무기물은 TiO2, ZnO, CuO, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, HfO2, Si3N4, BaTiO3, V2O5, WO3, ZrO2, GaN, AlxGa1-xN, SiC, ZnS 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 기재는 실리콘, 유리 또는 석영을 포함하는 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
18 18
제 12 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 또는 투명 플렉서블 기재인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
19 19
제 12 항에 있어서,상기 그래핀은 산화그래핀을 환원하여 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 산화그래핀은 흑연을 산화제로 산화 처리시킨 산화흑연으로부터 형성된 것인, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교산학협력단 창의적연구지원사업 기능성 분자메모리 연구단