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핀 전계 효과 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014053851
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 핀 전계 효과 트랜지스터 소자가 개시되며, 상기 핀 전계 효과 트랜지스터 소자는 기판; 상기 기판 상에 서로 나란하게 배치된 제 1드레인 및 제 2드레인; 상기 제 1드레인과 상기 제 2드레인 사이에 배치되고, 상기 제 1드레인 및 상기 제 2드레인과 나란하게 형성된 공통 소스; 상기 제 1드레인, 상기 공통 소스 및 상기 제 2드레인과 교차하는 방향으로 형성되고, 서로 나란하게 배치된 복수의 핀; 상기 복수의 핀과 교차하는 방향으로 상기 복수의 핀의 상부에 형성된 게이트 구조물; 및 상기 게이트 구조물의 상부에 브릿지 형상으로 형성되어 상기 제 1드레인과 상기 제 2드레인을 결합시키는 드레인 결합부를 포함하되, 상기 게이트 구조물에 인가되는 전압에 따라 상기 핀의 채널 형성 상태가 조절된다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/823431(2013.01) H01L 21/823431(2013.01) H01L 21/823431(2013.01) H01L 21/823431(2013.01) H01L 21/823431(2013.01) H01L 21/823431(2013.01)
출원번호/일자 1020120018995 (2012.02.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1282930-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김소영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 노석순 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0152158-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0008940-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0283569-58
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0547724-18
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0547725-53
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0447703-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
핀 전계 효과 트랜지스터 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 서로 나란하게 배치된 제 1드레인(drain) 및 제 2드레인;상기 제 1드레인과 상기 제 2드레인 사이에 배치되고, 상기 제 1드레인 및 상기 제 2드레인과 나란하게 형성된 공통 소스(source);상기 제 1드레인, 상기 공통 소스 및 상기 제 2드레인과 교차하는 방향으로 형성되고, 서로 나란하게 배치된 복수의 핀(fin); 상기 복수의 핀과 교차하는 방향으로 상기 복수의 핀의 상부에 형성된 게이트(gate) 구조물; 및상기 게이트 구조물의 상부에 브릿지 형상으로 형성되어 상기 제 1드레인과 상기 제 2드레인을 결합시키는 드레인 결합부를 포함하되,상기 게이트 구조물에 인가되는 전압에 따라 상기 핀의 채널 형성 상태가 조절되는 핀 전계 효과 트랜지스터 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 게이트 구조물은상기 제 1드레인과 상기 공통 소스 사이에 배치된 상기 핀과 교차하도록 형성된 제 1게이트부;상기 제 2드레인과 상기 공통 소스 사이에 배치된 상기 핀과 교차하도록 형성된 제 2게이트부; 및상기 제 1게이트부와 상기 제 2게이트부를 결합시키는 제 3게이트부를 포함하는 핀 전계 효과 트랜지스터 소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 제 1게이트부와 상기 제 2게이트부는 상기 핀을 각각 감싸도록 형성된 것인 핀 전계 효과 트랜지스터 소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 게이트 구조물과 상기 핀의 결합면 사이에는 산화물층이 적층된 핀 전계 효과 트랜지스터 소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 산화물층은 SiO2인 핀 전계 효과 트랜지스터 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체) [RCMS]22nm급 이하 파운드리 소자 및 PDK 기술 개발