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산소 플라즈마 공정을 통한 MoS2 표면 처리 및 원자층 증착법을 이용하여 균일한 고유전 박막 증착 방법

  • 기술번호 : KST2014059544
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터에 관한 것이고, 또한 산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020120073819 (2012.07.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1348059-0000 (2013.12.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형섭 대한민국 서울특별시 서초구
2 양재현 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541775-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057692-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0526460-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0718981-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0718980-45
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0893328-58
8 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0224043-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 상의 소오스/드레인 전극;상기 기판 및 소오스/드레인 전극 상의 찰코게나이드(chalcogenides) 계열의 물질로 이루어진 채널층으로서, 상기 채널층의 상부 표면은 산소 플라즈마 처리된, 채널층;상기 채널층 상의 산소 플라즈마 처리된 상부 표면에 증착된 유전막; 및상기 유전막 상의 게이트 전극을 포함하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 발생기에 의해 인가된 플라즈마에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기가 RF 플라즈마 발생기인 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유전막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 유전막은 Al2O3 또는 HfO2인 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 찰코게나이드(chalcogenides) 계열의 물질로 이루어진 채널층은, MoS2로 이루어진 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터
7 7
기판을 제공하는 단계;기판 상에 소오스/드레인 전극을 형성시키는 단계;상기 기판 및 소오스/드레인 전극 상에 찰코게나이드 계열의 물질로 이루어진 채널층을 증착시키는 단계;상기 채널층의 상부 표면을 산소 플라즈마 처리하는 단계;상기 산소 플라즈마 처리된 채널층의 상부 표면 상에 유전막을 증착시키는 단계; 및상기 유전막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 산소 플라즈마 처리는 플라즈마 발생기에 의해 인가된 플라즈마에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기가 RF 플라즈마 발생기인 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 유전막을 증착시키는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
11 11
제 7 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 유전막은 Al2O3 또는 HfO2인 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서,상기 찰코게나이드(chalcogenides) 계열의 물질로 이루어진 채널층은, MoS2로 이루어진 것을 특징으로 하는,산소 플라즈마 처리된 채널층을 포함한 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.