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그래핀 버퍼층을 사용한 산화물 트랜지스터의 전극 특성 향상

  • 기술번호 : KST2014059548
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1020120053411 (2012.05.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1346612-0000 (2013.12.24)
공개번호/일자 10-2013-0129506 (2013.11.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안종현 대한민국 경기 수원시 장안구
2 이정은 대한민국 충남 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0401385-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0042218-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0440659-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0768131-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0768130-70
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0884143-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재, 채널층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 채널층과 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 그래핀-함유 배리어층을 포함하는, 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 채널층은 산화물 반도체를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5, TiSrO3, ZIO (zinc indium oxide), IGO (indium gallium oxide), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀-함유 배리어층은 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Ti, Mo, Cr, W, Zr, Hf, Nb, Ta, Ag, Au, Al, Cu, Co, Sb, V, Ru, Pt, Pd, Zn 및 Mg으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀-함유 배리어층이 소스 전극 및 드레인 전극의 금속 산화를 방지하는 것인, 박막 트랜지스터
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기재;상기 기재에 형성된 상기 채널층;상기 채널층에 형성된 상기 그래핀-함유 배리어층 및 패시베이션층; 및상기 그래핀-함유 배리어층에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 기재;상기 기재에 형성된 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 형성된 상기 그래핀-함유 배리어층;상기 그래핀-함유 배리어층에 형성된 상기 채널층;상기 채널층에 형성된 절연막; 및상기 절연막에 형성된 탑 게이트 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기재;상기 기재에 형성된 바텀 게이트 전극;상기 기재 및 상기 바텀 게이트 전극에 형성된 상기 채널층;상기 채널층에 형성된 상기 그래핀-함유 배리어층 및 패시베이션층; 및상기 그래핀-함유 배리어층에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기재는 Si를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
11 11
기재에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층에 그래핀-함유 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀-함유 배리어층에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
기재에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 그래핀-함유 배리어층을 형성하는 단계;상기 그래핀-함유 배리어층에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층에 탑 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
기재에 바텀 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기재 및 상기 바텀 게이트 전극에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층에 그래핀-함유 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀-함유 배리어층에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
14 14
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5, TiSrO3, ZIO (zinc indium oxide), IGO (indium gallium oxide), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 그래핀-함유 배리어층은 0
17 17
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Ti, Mo, Cr, W, Zr, Hf, Nb, Ta, Ag, Au, Al, Cu, Co, Sb, V, Ru, Pt, Pd, Zn 및 Mg으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터의 제조 방법
18 18
제 11 항에 있어서,상기 기재에 형성된 상기 채널층에 패시베이션층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
19 19
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재에 형성된 상기 채널층을 고온에서 어닐링하는 단계를 추가 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
20 20
제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 채널층 상의 상기 그래핀-함유 배리어층의 일부를 에칭하는 단계를 추가 포함하는, 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교산학협력단 신진연구 3/3차년도 산화물 반도체를 이용한 신축가능형 투명 소자 개발