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실리콘 결정화 및 알루미늄 동시 도핑 방법

  • 기술번호 : KST2014061818
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 결정화 및 알루미늄 동시 도핑 방법을 제공한다. 실리콘 결정화 및 알루미늄 동시 도핑 방법은 알루미늄층에 전계를 인가하여 발생된 열로 상기 알루미늄층에 접촉된 비정질 실리콘을 가열하여 알루미늄 도핑된 결정질 실리콘 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명은 실리콘 결정화의 공정 시간을 수 분으로 줄이고, 공정 온도를 비정질 실리콘의 녹는점인 1257℃가 아닌 약 500℃로 내려 공정을 수행할 수 있고, 알루미늄 도핑이 동시에 수행된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020120000847 (2012.01.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0080106 (2013.07.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승재 대한민국 서울 마포구
2 박지용 대한민국 서울 강남구
3 이대건 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0007986-07
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0000631-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0016729-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0223152-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0509183-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0509182-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0741899-65
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.11.27 수리 (Accepted) 7-1-2014-0045291-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘 박막 상에 알루미늄층을 형성하는 단계;상기 알루미늄층에 전계를 인가하여 발생된 열로 상기 비정질 실리콘을 가열하여 알루미늄 도핑된 결정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및상기 알루미늄 도핑된 결정질 실리콘 박막 내에 잔류하는 잔류 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
2 2
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 알루미늄층을 형성하는 단계;상기 알루미늄층 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 알루미늄층에 전계를 인가하여 발생된 열로 상기 비정질 실리콘을 가열하여 알루미늄 도핑된 결정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및상기 알루미늄 도핑된 결정질 실리콘 박막 내에 잔류하는 잔류 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계는 스퍼터링법 또는 PECVD법을 이용하는 것을 포함하는 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 알루미늄층을 형성하는 단계는 스퍼터링법 또는 기상증착법을 이용하는 것을 포함하는 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 알루미늄층에 대한 전계 인가 전류는 2A 내지 4A인 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 알루미늄층에 전계를 인가하여 발생하는 열의 온도는 500℃ 내지 600℃인 실리콘 결정화 및 알루미늄 도핑 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(일반연구자지원사업) 전열법을 이용한 태양전지용 실리콘 박막의 레이저 결정화 및 도핑 연구