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기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성된 녹색광을 방출하는 제1 활성층;상기 제1 활성층 상에 형성된 청색광을 방출하는 제2 활성층; 및상기 제2 활성층 상에 형성된 p형 반도체층을 포함하고,상기 제1 활성층 및 제2 활성층은 각각 양자우물층 및 양자장벽층이 교대로 적층된 구조이며,상기 제1 활성층의 양자장벽층은 p 도핑되고, 상기 제2 활성층의 양자장벽층은 n 또는 p 도핑되거나,또는 상기 제1 활성층의 양자장벽층은 n 도핑되고, 상기 제2 활성층의 양자장벽층은 p 도핑된 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 활성층 및 제2 활성층은 각각 InxGa1-xN 양자우물층(0003c#x003c#1)과 GaN 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 제2 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 전자차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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제6항에 있어서,상기 전자차단층은 AlxGa1-xN층(0003c#x003c#1)인 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상에 녹색광을 방출하는 제1 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 활성층 상에 청색광을 방출하는 제2 활성층을 형성하는 단계; 및상기 제2 활성층 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 활성층 및 제2 활성층은 각각 양자우물층 및 양자장벽층을 교대로 적층하여 형성하며,상기 제1 활성층을 형성하는 단계는 p 도핑된 양자장벽층들을 형성하고, 상기 제2 활성층을 형성하는 단계는 n 또는 p 도핑된 양자장벽층들을 형성하거나,또는, 상기 제1 활성층을 형성하는 단계는 n 도핑된 양자장벽층들을 형성하고, 상기 제2 활성층을 형성하는 단계는 p 도핑된 양자장벽층들을 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광다이오드 제조방법
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