맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

원가 혁신적 CMOS 열영상 센서 및 카메라 코아

  • 기술번호 : KST2014067017
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110132858 (2011.12.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1250447-0000 (2013.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.12)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임성규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김영수 대한민국 대전광역시 유성구
3 김희연 대한민국 대전광역시 유성구
4 강민호 대한민국 대전광역시 유성구
5 오재섭 대한민국 대전광역시 유성구
6 이귀로 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0984697-76
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0489380-10
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.06.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.06.27 수리 (Accepted) 9-1-2012-0053348-64
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0511647-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0405229-34
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0739841-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739839-17
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0697231-41
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0054859-32
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0054857-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0202157-29
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0268918-46
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 구조물을 형성하는 단계;상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성하는 단계;상기 비정질 탄소막 상에 절연지지층을 형성하는 단계;상기 절연지지층 상에 식각 보호막을 형성하고 상기 절연지지층 및 상기 비정질 탄소막을 식각하여, 상기 절연지지층 및 상기 비정질 탄소막을 관통하여 상기 하부 구조물을 노출하는 비어홀들을 형성하는 단계;상기 절연지지층 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성하는 단계;상기 절연지지층을 관통하는 적어도 하나의 관통홀을 형성하는 단계; 및상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록, 상기 관통홀들을 통해서 상기 비정질 탄소막을 모두 제거하는 단계;를 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 비정질 탄소막을 형성하는 단계는 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 수행하는, 멤스 디바이스 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 화학기상증착법을 수행하는 온도는 200℃ 내지 600℃인, 멤스 디바이스 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 비정질 탄소막을 제거하는 단계는 건식 식각 방식을 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 건식 식각 방식은 산소(O2) 플라즈마(Plasma)를 이용하여 수행하는, 멤스 디바이스 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 상부 구조물을 형성하는 단계는, 상기 비정질 탄소막 상에 절연지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 비어홀들을 형성하는 단계 후, 상기 비어홀들을 통해서 상기 하부 전극들과 연결되도록 상기 하부 전극들 상에 금속 앵커들을 형성하는 단계를 더 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 상부 구조물을 형성하는 단계는, 상기 절연지지층 상에 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 하부 구조물은 상기 센서 구조를 제어하기 위한 판독집적회로(ROIC)를 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 센서 구조는 적외선 센서를 포함하는, 멤스 디바이스 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 희생층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.