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니켈 할로겐 화합물 분위기를 이용한 다결정 규소박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015112487
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비정질 규소박막을 니켈 할로겐 화합물의 분위기에서 열처리함으로써 금속 오염을 최소화하면서 저온에서 경제적으로 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법은 종래 다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 상의 비정질 규소박막 위에 산화막을 형성하는 단계, 산화막이 형성된 비정질 규소박막을 니켈 화합물 분위기에서 열처리하여 다결정 규소박막을 얻는 단계를 포함한다.본 발명에 의해 제조된 다결정 규소박막은 저온에서 결정화가 가능할 뿐 아니라, 결정입자가 크고 균일하다. 본 발명은 비정질 실리콘 표면에 산화막을 성장시켜 니켈 금속과 규소박막의 직접적인 접촉을 피하게 하고 또한 산화막 위에 니켈 금속을 증착 시키는 것 보다는 니켈 할로겐 화합물을 증착시켜 규소박막에 오염되는 니켈의 농도를 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/32155(2013.01) H01L 21/32155(2013.01) H01L 21/32155(2013.01) H01L 21/32155(2013.01)
출원번호/일자 1020060032918 (2006.04.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0738659-0000 (2007.07.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0251372-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0082151-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0060103-81
5 의견서
Written Opinion		 2007.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0198903-90
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0198902-44
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0188879-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 상의 비정질 규소박막 위에 산화막을 형성하는 단계,산화막이 형성된 비정질 규소박막을 니켈 할로겐 화합물 분위기에서 열처리하여 다결정 규소박막을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 비정질 규소 박막 위에 형성된 산화막은 산 용액에서 성장시킨 화학적 산화막(chemical oxide), 열산화로에서 성장시킨 열산화막(thermal oxide), 플라즈마 분위에서 성장시킨 플라즈마 산화막(plsama oxide), 화학증착법에 의한 CVD 산화막, 원자층 증착법으로 성장시킨 산화막(ALD oxide) 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 선택하여 기판 상의 비정질 규소박막 위에 산화막을 형성함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
3 3
제1항에서 산화막의 두께는 5∼50nm 임을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 니켈 할로겐 화합물은 NiCl2, NiI2, NiBr2, NiF2 중에서 선택된 어느 하나 이상 임을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 니켈 할로겐 화합물은 화합물을 비정질 규소박막의 열처리 온도와 같은 온도로 공급해주거나 또는 비정질 규소박막의 열처리 이전에 별도로 비정질 규소박막 위에 증착시키는 것을 특징으로 하는 다결정규소박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 열처리는 400℃∼600℃의 온도에서 실시됨을 특징으로 하는 다결정규소박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 열처리는 발열체에 의한 가열방식 또는 전자기파에 의한 가열방식에 의해 열처리함을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 열처리는 비정질 규소박막의 핵생성을 유도하기 위해 400∼600℃의 온도에서 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.