맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

복수의 나노와이어를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법(TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A PLURALITY OF NANO-WIRES AND FABRICATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017011341
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 터널링 전계효과 트랜지스터는, 기판, 기판상에 형성되고, p+형 불순물 이온이 주입된 소스, 기판상에 형성되고, n+형 불순물 이온이 주입된 드레인, 기판상에 형성된 복수의 수직 적층형 나노와이어 채널, 복수의 나노와이어 채널에 형성된 게이트 절연막 및 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함한다. 이에 의하여, 게이트 길이와 채널의 면적(집적도)을 변화시키지 않고도 더 높은 구동전류를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 29/73 (2016.02.05) H01L 29/06 (2016.02.05) H01L 29/10 (2016.02.05) H01L 29/66 (2016.02.05) H01L 29/423 (2016.02.05) H01L 21/324 (2016.02.05)
CPC H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01)
출원번호/일자 1020150189480 (2015.12.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0079188 (2017.07.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.30)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 박준영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1287238-01
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0142850-15
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0399390-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0399388-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0608849-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1067174-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1067173-07
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0069983-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
(a) 기판에 하드마스크를 증착하는 단계;(b) 상기 기판에 감광막을 형성하고, 상기 감광막의 적어도 일부를 패터닝하여, 상기 하드마스크를 노출시키는 단계;(c) 상기 노출된 하드마스크를 식각하고 상기 감광막을 제거하는 단계;(d) 이방성 식각을 이용하여, 상기 기판에 채널을 패터닝하는 단계;(e) 상기 기판에 보호막을 형성하는 단계;(f) 등방성 식각을 이용하여, 상기 기판에 나노와이어를 형성하는 단계;(g) 상기 (d)단계 내지 (f)단계를 반복하여, 복수의 나노와이어를 형성하는 단계; 및(h) 상기 복수의 나노와이어를 구비한 터널링 전계효과 트랜지스터를 제조하는 단계;를 포함하는 터널링 전계효과 트랜지스터 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 (h)단계는, 상기 기판에 게이트 절연막 및 게이트층을 적층하는 단계;상기 게이트 절연막 및 상기 게이트층을 패터닝하여 게이트 전극을 패터닝하는 단계;상기 기판 위에 감광막을 형성하여 p+형 불순물 이온을 주입하여 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 감광막 제거 후, 상기 기판 위에 다시 감광막을 형성하여 n+형 불순물 이온을 주입하여 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 터널링 전계효과 트랜지스터 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 (h)단계는,상기 나노와이어에 산화 실리콘을 증착한후 화학적-기계적 연마를 수행하는 단계;상기 나노와이어가 존재하는 영역에 패터닝된 감광막을 형성하고, 상기 감광막의 패터닝에 의해 드러난 영역의 상기 산화 실리콘을 식각하여 트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및상기 감광막을 제거하고, 희생 산화(sacrificial oxidation)를 통해 상기 나노와이어의 단면의 크기를 제어하고, 식각 과정에서 발생한 손상을 치료하는 단계;를 더 포함하는 터널링 전계효과 트랜지스터 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 (h)단계는,열처리를 통해 n+형 또는 p+형 불순물 이온을 활성화시키는 단계; 및수소 어닐링을 통해 상기 나노와이어의 표면 거칠기를 완화하는 단계;를 더 포함하는 터널링 전계효과 트랜지스터 제조 방법
7 7
제3항에 있어서,상기 기판은 인트린식(Intrinsic)형 기판인 터널링 전계효과 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09997596 US 미국 FAMILY
2 US20170194428 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017194428 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9997596 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.