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평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치
- 기술번호 : KST2015113296
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 전압이 인가되는 평판 전극의 상면에 상기 평판 전극과 전류 밀도 차이가 있는 물질을 패턴화함으로써 불균일한 전기장이 형성되도록 하여, 전기동역학적 원리에 의한 미세 입자의 농축 및 분리가 가능하도록 하는 입자 농축 및 분리 장치를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은, 전압을 인가하는 전원 장치와, 상기 전원 장치의 일단과 전기적으로 연결되며 상기 전원 장치로부터 구동 전압을 인가받는 평판 전극과, 상기 전원 장치의 타단과 전기적으로 연결되며 상기 전원 장치로부터 기준 전압을 인가받는 접지 전극과, 상기 평판 전극 및 접지 전극 사이에 형성되며 입자를 포함하는 샘플이 위치하는 미세유체유로와, 상기 평판 전극의 상면에 형성되며 상기 평판 전극과는 상이한 전류 밀도를 가지는 물질 패턴을 포함하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치를 개시한다. 평판 전극, 전기동역학, 농축, 분리, 전류 밀도 |
|---|---|
| Int. CL | B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080104751 (2008.10.24) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1034350-0000 (2011.05.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0045686 (2010.05.04) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110516) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.10.24) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박제균 | 대한민국 | 대전시 유성구 |
| 2 | 황현두 | 대한민국 | 부산시 수영구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이원희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0739683-64 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0008993-79 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.10.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0450866-73 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0811534-07 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0811533-51 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0220168-74 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 평판전극의 전류밀도 차이를 이용한 입자농축 및 분리장치에 있어서, 전압을 인가하는 전원장치와, 상기 전원장치의 일단과 전기적으로 연결되며, 상기 전원장치로부터 구동전압을 인가받는 평판전극과, 상기 전원장치의 타단과 전기적으로 연결되며, 상기 전원장치로부터 기준전압을 인가받는 접지전극과, 상기 평판전극의 상면에 상기 평판전극의 면적보다 작게 형성되고, 상기 평판전극보다 전류밀도가 높은 물질패턴 및 상기 평판전극 및 접지전극 사이에 형성되며, 입자를 포함하는 샘플이 위치하는 미세유체유로를 포함하여 구성되고, 상기 평판전극은 금, 은, 알루미늄, 구리, 백금, 실리콘 기판 또는 ITO 중 하나로 형성되며, 상기 접지전극은 금, 은, 알루미늄, 구리, 백금, 실리콘 기판 또는 ITO 중 하나로 형성되고, 상기 물질패턴은, 금 박막, 은 박막, 알루미늄 박막, 구리 박막, 백금 박막, 질화 실리콘, 산화 실리콘 또는 ITO 중 하나로 형성되며, 또한, 상기 평판전극보다 전류밀도가 높은 특성을 지닌 물질로 선택되고, 전류밀도 차이가 클수록 상기 미세 전자 소자의 미세입자 농축 및 분리효율이 증가하도록 구성되며, 상기 장치는, 상기 평판전극 및 물질패턴의 상면에 보호층을 더 형성하고, 상기 보호층은 고전압에 의한 과전류로 인한 샘플의 전기분해를 방지하며, 또한, 상기 장치는, 상기 평판전극과 물질패턴 사이에 중간층을 더 형성하고, 상기 중간층은 상기 평판전극과 물질패턴 간의 접촉저항을 줄이도록 구성되고, 또한, 상기 장치는, 상기 평판전극과 상기 접지전극을 이격시키는 스페이서와, 상기 평판전극과 상기 접지전극 사이에 상기 미세유체유로를 형성하는 미세 채널 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 전원 장치는 직류 전압원 또는 교류 전압원인 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 3 |
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| 6 |
6 청구항 1에 있어서, 상기 전원 장치로부터 교류 전압이 인가되면, 상기 미세유체유로 내의 유체는 전기삼투에 의해 상기 물질 패턴 방향으로 유동하고, 음의 유전영동에 의해 이동하는 입자들은 상기 물질 패턴의 반대 방향으로 이동하고, 양의 유전영동에 의해 이동하는 입자들은 상기 물질 패턴 방향 또는 상기 물질 패턴의 가장 자리 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 전원 장치로부터 직류 전압이 인가되면, 양의 전하를 띄는 입자들은 전기영동에 의해 음의 전극 방향으로 이동하고, 음의 전하를 띄는 입자들은 전기영동에 의해 양의 전극 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 8 |
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| 9 |
9 청구항 1에 있어서, 상기 보호층은 질소 실리콘 또는 산화 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 10 |
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| 11 |
11 청구항 1에 있어서, 상기 중간층은 도핑된 실리콘, 크롬 및 티타늄 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 12 |
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| 13 |
13 평판전극의 전류밀도 차이를 이용한 입자농축 및 분리장치에 있어서, 전압을 인가하는 전원장치와, 상기 전원장치의 일단과 전기적으로 연결되며, 상기 전원장치로부터 구동전압을 인가받는 평판전극과, 상기 전원장치의 타단과 전기적으로 연결되며, 상기 전원장치로부터 기준전압을 인가받는 접지전극과, 상기 평판전극의 상면에 상기 평판전극의 면적보다 작게 형성되고, 상기 평판전극보다 전류 밀도가 낮은 물질패턴과, 상기 평판전극 및 접지전극 사이에 형성되며, 입자를 포함하는 샘플이 위치하는 미세유체유로를 포함하여 구성되고, 상기 평판전극은 금, 은, 알루미늄, 구리, 백금, 실리콘 기판 또는 ITO 중 하나로 형성되며, 상기 접지전극은 금, 은, 알루미늄, 구리, 백금, 실리콘 기판 또는 ITO 중 하나로 형성되고, 상기 물질패턴은 금 박막, 은 박막, 알루미늄 박막, 구리 박막, 백금 박막, 질화 실리콘, 산화 실리콘 또는 ITO 중 하나로 형성되며, 또한, 상기 평판전극보다 전류 밀도가 낮은 특성을 지닌 물질로 선택되고, 전류밀도 차이가 클수록 상기 미세 전자 소자의 미세입자 농축 및 분리효율이 증가하도록 구성되며, 상기 장치는, 상기 평판전극 및 물질패턴의 상면에 보호층을 더 형성하고, 상기 보호층은 고전압에 의한 과전류로 인한 샘플의 전기분해를 방지하며, 또한, 상기 장치는, 상기 평판전극과 물질패턴 사이에 중간층을 더 형성하고, 상기 중간층은 상기 평판전극과 물질패턴 간의 접촉저항을 줄이도록 구성되며, 또한, 상기 장치는, 상기 평판전극과 상기 접지전극을 이격시키는 스페이서와, 상기 평판전극과 상기 접지전극 사이에 상기 미세유체유로를 형성하는 미세 채널 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판전극의 전류밀도 차이를 이용한 입자농축 및 분리장치 |
| 14 |
14 청구항 13에 있어서, 상기 전원 장치는 직류 전압원 또는 교류 전압원인 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 15 |
15 삭제 |
| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
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| 18 |
18 청구항 13에 있어서, 상기 전원 장치로부터 교류 전압이 인가되면, 상기 미세유체유로 내의 유체는 전기삼투에 의해 상기 물질 패턴의 반대 방향으로 유동하고, 음의 유전영동에 의해 이동하는 입자들은 상기 물질 패턴 방향으로 이동하고, 양의 유전영동에 의해 이동하는 입자들은 상기 물질 패턴의 반대 방향 또는 상기 물질 패턴의 가장 자리 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 19 |
19 청구항 13에 있어서, 상기 전원 장치로부터 직류 전압이 인가되면, 양의 전하를 띄는 입자들은 전기영동에 의해 음의 전극 방향으로 이동하고, 음의 전하를 띄는 입자들은 전기영동에 의해 양의 전극 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 20 |
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| 21 |
21 청구항 13에 있어서, 상기 보호층은 질소 실리콘 또는 산화 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 22 |
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| 23 |
23 청구항 13에 있어서, 상기 중간층은 도핑된 실리콘, 크롬 및 티타늄 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 |
| 24 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1034350-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081024 출원 번호 : 1020080104751 공고 연월일 : 20110516 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110425 청구범위의 항수 : 12 유별 : B81B 7/02 발명의 명칭 : 평판 전극의 전류 밀도 차이를 이용한 입자 농축 및 분리 장치 존속기간(예정)만료일 : 20150504 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2011년 05월 04일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2014년 04월 22일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0739683-64 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.01.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0008993-79 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.10.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0450866-73 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.12.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0811534-07 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0811533-51 |
| 7 | 등록결정서 | 2011.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0220168-74 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345145614 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-2001291 |
| 연구과제명 | 바이오 나노 전자칩 기반기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200504~201403 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1350010642 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-01291 |
| 연구과제명 | 바이오나노전자칩기반기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200504~200703 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
특허성과
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