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박막트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물

  • 기술번호 : KST2015114587
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄염, 금속 아세틸아세토네이트 및 용매를 포함하는 금속산화물반도체 제조용 용액조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 금속산화물반도체 제조용 용액조성물을 기판에 코팅한 후 열처리하여 금속산화물반도체를 형성하는 단계를 포함하는 금속산화물반도체 제조방법에 관한 것이다. 그리고 본 발명은 상기 게이트 기판과 중첩하여 형성된 본 발명에 의해 제조된 금속산화물반도체;상기 금속산화물반도체와 전기적으로 연결된 소스 전극;및상기 금속산화물반도체와 전기적으로 연결되며, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인전극;을 포함하는 박막트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL C23C 18/02 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) C01F 7/00 (2006.01) C01G 1/02 (2006.01)
CPC C23C 18/1216(2013.01) C23C 18/1216(2013.01) C23C 18/1216(2013.01) C23C 18/1216(2013.01) C23C 18/1216(2013.01)
출원번호/일자 1020100039284 (2010.04.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1265227-0000 (2013.05.10)
공개번호/일자 10-2011-0119880 (2011.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130524) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병수 대한민국 대전광역시 유성구
2 황영환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0274103-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052746-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0532746-38
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0907893-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0907895-71
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0231813-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0487515-41
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0574195-42
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0574167-74
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0699065-15
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.12.14 수리 (Accepted) 7-1-2012-0057364-19
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.01.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0052903-18
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0052950-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0096416-40
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
알루미늄염, 인듐 아세틸아세토네이트 및 용매를 포함하는 금속산화물반도체 제조용 용액조성물
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속산화물반도체 제조용 용액조성물은 다이케톤, 아미노 알코올, 폴리아민으로 이루이진 군으로부터 하나이상 선택된 용액안정제를 더 포함하는 금속산화물반도체 제조용 용액조성물
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 알루미늄염의 음이온은 하이드록사이드, 아세테이트, 프로피오네이트, 아세틸아세토네이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트, 메톡사이드, 2차-부톡사이드, 3차-부톡사이드, n-프로폭사이드, i-프로폭사이드, 에톡사이드, 포스페이트, 알킬포스페이트, 나이트레이트, 퍼클로라이트, 설페이트, 알킬설포네이트, 페녹사이드, 브로마이드, 아이오다이드, 클로라이드로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 금속산화물반도체 제조용 용액조성물
5 5
제 1항에 있어서,상기 용매는 물, 테트라히드로푸란, 알코올, 에테르로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 금속산화물반도체 제조용 용액조성물
6 6
제 1항, 제 2항, 제 4항 또는 제 5항으로부터 선택되는 어느 한 항의 금속산화물반도체 제조용 용액조성물을 기판에 코팅한 후 열처리하여 금속산화물반도체를 형성하는 단계를 포함하는 금속산화물반도체 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 열처리는 100~500℃에서 수행하는 금속산화물반도체 제조방법
8 8
제 6항에 있어서,상기 코팅은 스핀코팅, 딥코팅, 바코팅, 스크린 프린팅, 슬라이드 코팅, 롤 코팅, 슬릿 코팅, 스프레이 코팅, 침지(dipping), 딥 펜(dip-pen), 잉크젯 인쇄, 나노 디스펜싱, 잉크젯 인쇄로 이루어진 군으로부터 선택된 금속산화물반도체 제조방법
9 9
제 6항에 의해 제조된 금속산화물반도체
10 10
게이트 기판;상기 게이트 기판과 중첩하여 형성된 상기 제6항에 의해 제조된 금속산화물반도체;상기 금속산화물반도체와 전기적으로 연결된 소스 전극;및상기 금속산화물반도체와 전기적으로 연결되며, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인전극;을 포함하는 박막트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08441008 US 미국 FAMILY
2 US20110266536 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011266536 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8441008 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.