맞춤기술찾기

이전대상기술

플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 플래쉬 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015118291
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법으로, 기판 상에 제조된 플래쉬 메모리 소자상에 고정 기판을 접착시키는 단계; 상기 고정 기판에 접착된 플래쉬 메모리 소자를 절단하여 단위 플래쉬 메모리 소자를 제조하는 단계; 상기 제조된 단위 플래쉬 메모리 소자의 기판 하부에 접착층을 도포하는 단계; 및 상기 접착층이 도포된 단위 플래쉬 메모리 소자를 플렉서블 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020130063727 (2013.06.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1517816-0000 (2015.04.29)
공개번호/일자 10-2014-0142103 (2014.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.03)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전 유성구
2 황건태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0494390-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0195420-13
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0470744-72
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0470745-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0661802-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-1093714-48
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1093715-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 등록결정서
Decision to grant
2015.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0201174-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법으로, 상부 실리콘층, 실리콘산화물층, 하부 실리콘층으로 이루어진 기판 상에 플래쉬 메모리 소자를 제조하는 단계;상기 기판 상에 제조된 플래쉬 메모리 소자 상에 제1 접착층을 도포하는 단계;상기 제1 접착층이 도포된 플래쉬 메모리 소자 상에 고정 기판을 접착시키는 단계;상기 기판의 하부실리콘층을 제거하는 단계;상기 고정 기판에 접착된 플래쉬 메모리 소자를 절단하여 단위 플래쉬 메모리 소자를 제조하는 단계;상기 기판의 실리콘산화물층 하면에 제2 접착층을 도포하는 단계; 및상기 제1,2 접착층이 도포된 단위 플래쉬 메모리 소자를 플렉서블 기판으로 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘-온-인슐레이터인 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 소자는 상기 기판 상에 적어도 둘 이상 제조된 단위 플래쉬 메모리 소자를 포함하며, 상기 단위 플래쉬 메모리 소자는 정렬된 어레이 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 고정기판은 플라스틱 또는 유리기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 5항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시 수지이며, 상기 에폭시 수지는 상기 플래쉬 메모리 소자를 모두 덮도록 도포되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 하부실리콘층을 제거하는 단계는 습식식각 또는 물리적 그라인딩 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 고정 기판에 접착된 플래쉬 메모리 소자를 절단하여 단위 플래쉬 메모리 소자를 제조하는 단계는, 레이저 또는 쏘잉 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법
10 10
제 1항 내지 제 3항, 제 5항, 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 플래쉬 메모리 소자
11 11
플라스틱 기판; 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 제2 접착층; 상기 제2 접착층에 의하여 상기 플라스틱 기판에 접착된 단위 플래쉬 메모리 소자;상기 단위 플래쉬 메모리 소자 상에 도포되는 제1 접착층; 및상기 단위 플래쉬 메모리 소자 상에 배치되는 고정 기판;을 포함하며, 상기 단위 플래쉬 메모리 소자는, 순차적으로 적층된 실리콘산화물층-실리콘층으로 이루어진 기판; 및 상기 기판 상에 구비된 소자층를 포함하며, 상기 제2 접착층은 상기 기판의 실리콘산화물층 하면에 도포된 후 상기 플라스틱 기판으로 전사된 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 소자층은 상기 순차적으로 적층된 실리콘산화물층-실리콘층으로 이루어진 기판 상에서 제조된 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자
13 13
휘어지는 디스플레이; 상기 휘어지는 디스플레이 소자 후면 전면에 구비된 플렉서블 배터리; 및 상기 휘어지는 디스플레이 소자 후면에서 상기 디스플레이와 상기 플렉서블 배터리 사이에 구비되며, 제 11항에 따른 플렉서블 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 휘어지는 디스플레이 장치
14 14
스마트 시계로서, 제 11항에 따른 플렉서블 소자가 구비된 스마트 시계
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.