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저 에폭시 그룹을 가지는 산화 그래핀의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115808
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적, 물리적 특성이 개선된 저 에폭시 그룹을 가지는 산화 그래핀의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 2차원 구조를 가지는 그래핀의 산화물 형태인 산화 그래핀의 제조에 있어서 다양한 산소 기능기가 산화 그래핀의 끝단 혹은 가장자리 부근에 한정되도록 제조된, 저 에폭시 그룹을 가지는 산화 그래핀의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B01J 19/10 (2006.01) H01L 21/08 (2006.01)
CPC C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01) C01B 32/23(2013.01)
출원번호/일자 1020120012143 (2012.02.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1316547-0000 (2013.10.02)
공개번호/일자 10-2013-0090979 (2013.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 안성일 대한민국 부산 사상구
3 김국주 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0097814-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038408-43
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0524971-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2차원 구조를 가지는 그래핀의 산화물 형태인 산화 그래핀으로서, 중앙 부위 보다 가장자리 부근에 상대적으로 높은 비율로 에폭시기(C-O-C)가 형성되어 있으며, 전체적으로 에폭시기(C-O-C) 결함이 탄소 이중결합(C=C) 결함 대비 35% 이하로 된 산화 그래핀
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그래핀 필름이나 패턴을 전극이나 활성층으로 갖는 전자소자로서, 상기 그래핀 필름이나 패턴은, 2차원 구조를 가지는 그래핀의 산화물 형태인 산화 그래핀을 이용하여 형성되며,상기 산화 그래핀의 구조는 중앙 부위 보다 가장자리 부근에 상대적으로 높은 비율로 에폭시기(C-O-C)가 형성되어 있으며, 전체적으로 에폭시기(C-O-C) 결함이 탄소 이중결합(C=C) 결함 대비 35% 이하로 된 산화 그래핀 형태인 것을 특징으로 하는 전자소자
3 3
그래파이트에 질산나트륨 염과 진한 황산이 혼합된 용액을 냉각한 후 과망간산 칼륨 분말을 더 혼합하여 온도를 상승시키는 단계;일정 반응 시간 후에 과산화 수소수를 더 가하여 남아있는 과망간산칼륨을 환원시키는 단계;원심분리를 통해 일정 수준의 pH 를 갖고 산화 그래핀 파우더가 포함된 용액을 분리하는 단계; 및분리된 상기 용액을 건조시킨 후 증류수에 분산시키고 초음파 처리하는 단계를 포함하고,상기 초음파 처리를 통해, 중앙 부위 보다 가장자리 부근에 상대적으로 높은 비율로 에폭시기(C-O-C)가 형성되며, 전체적으로 에폭시기(C-O-C) 결함이 탄소 이중결합(C=C) 결함 대비 35% 이하로 된 2차원 구조의 산화 그래핀이 획득되는 것을 특징으로 하는 산화 그래핀 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 초음파 처리 과정은,일정 시간 초음파 처리를 진행 후 원심 분리하여 남겨진 분말에 다시 증류수를 가하여 분산시키고 다시 일정 시간 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리한 용액을 원심 분리하여 얻어진 상층부액에 대하여 분광법으로 에폭시기(C-O-C) 결함이 탄소 이중결합(C=C) 결함 대비 35% 이하로 되는 조건을 만족하는 지 여부를 확인하고, 상기 조건이 만족되지 않으면, 반복적으로 다시 일정 시간씩 초음파 처리하고 원심 분리하여 얻어진 상층부액에 대하여 상기 확인의 과정을 진행하는 단계; 및상기 조건이 만족되면, 원심 분리하여 얻어진 그래핀 산화물 고형분에 증류수를 첨가하여 분산시킨 후 일정 시간 더 초음파 처리함으로써 상기 산화 그래핀이 포함된 용액을 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 그래핀 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.