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플렉서블 소자 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 발광 다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015116206
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 기판(100) 상에 소자층(200)을 형성하는 단계; 상기 소자층(200)상에 패시베이션층(300)을 형성하는 단계; 상기 패시베이션층(300)에 전사기판(500)을 접합시키는 단계; 상기 투명 기판(100) 후면에 레이저를 조사하여, 상기 소자층(200)을 상기 투명 기판(100)으로부터 분리시키는 단계; 및 상기 분리된 소자층(200)을 플렉서블 기판(700)에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/44 (2014.01) H01L 33/48 (2014.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020120139584 (2012.12.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1375054-0000 (2014.03.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.04)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전 유성구
2 이승현 대한민국 충남 아산시
3 손정환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1004617-84
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0148415-60
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0003923-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096390-58
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0808157-76
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0002336-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0002334-67
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0168844-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판(100) 상에 소자층(200)을 형성하는 단계;상기 소자층(200)상에 패시베이션층(300)을 형성하는 단계;상기 패시베이션층(300)에 전사기판(500)을 접합시키는 단계;상기 투명 기판(100) 후면에 레이저를 조사하여, 상기 소자층(200)을 상기 투명 기판(100)으로부터 분리시키는 단계; 및 상기 분리된 소자층(200)을 플렉서블 기판(700)에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 소자층(200)은 상기 조사되는 레이저에 의하여 물성 변화가 발생하는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 전사기판(500)에는 열 분리 접착 테이프가 도포된 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 분리된 소자층(200)을 플렉서블 기판(700)에 전사시키는 단계 후, 상기 전사기판(500)에 열을 인가하여, 상기 열 분리 접착 테이프와 상기 패시베이션층(300)과 상기 전사기판(500)을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 패시베이션층(300)과 상기 전사기판(500)을 분리하는 단계 후, 상기 패시베이션층(300)을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판(700) 상에는 열 경화성 접착물질이 도포된 것을 특징으로 하는 플렉서블 소자 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
투명기판 상에 GaN 에피텍셜 층을 증착하고 패터닝하여 GaN LED 소자 어레이를 제조하는 단계;상기 패턴된 GaN LED 소자 어레이 사이 및 소자 상에 SU-8 패시베이션층을 적층하는 단계;상기 적층된 패시베이션층에 열 분리 접착 테이프가 도포된 전사기판을 접합시키는 단계;상기 투명기판의 후면에 레이저를 조사하여 상기 GaN LED 소자 어레이를 투명 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 분리된 GaN LED 소자 어레이를 열 경화성 접착물질이 도포된 플렉서블 기판에 전사한 후, 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광 다이오드 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 열 경화성 접착물질은 Au/Cr인 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광 다이오드 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 GaN 에피텍셜 층은 p-GaN/MQW/LT-GaN/n-GaN/u-GaN층인 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광 다이오드 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 패터닝된 GaN LED 소자는 n-GaN층이 일부 노출된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광 다이오드 제조방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 투명 기판은 사파이어 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 발광 다이오드 제조방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.