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고품질 그래핀 양자점 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116677
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그라파이트와 알카리 금속염 수화물 또는 알카리토금속염의 수화물을 혼합하고 가열하여 금속 이온이 층간에 삽입된 그라파이트 층간 화합물을 제조하는 단계; 및 상기 그라파이트 층간 화합물로부터 삽입된 금속 이온을 제거하여 고품질의 그래핀 양자점을 제조하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 고품질의 그래핀 양자점에 관한 것으로 본 발명에 따른 고품질 양자점은 디스플레이, 기록소자 및 각종 센서 그리고 나노컴퓨터 등의 차세대 전자제품 개발 뿐 만 아니라 생물, 의약 등에 사용가능하다.
Int. CL C09K 11/65 (2006.01) C09K 11/55 (2006.01)
CPC C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01) C09K 11/55(2013.01)
출원번호/일자 1020130127275 (2013.10.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0047326 (2015.05.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전석우 대한민국 대전 유성구
2 송성호 대한민국 대전광역시 유성구
3 김보현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)
3 이시근 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0964485-15
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0743017-23
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0243249-94
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0243179-96
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0028297-13
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0244833-51
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0244832-16
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0503584-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그라파이트 파우더와 금속 수화물의 혼합물을 형성하는 단계;상기 혼합물을 가열하여 금속 이온이 층간에 삽입된 그라파이트 층간 화합물을 제조하는 단계; 및상기 그라파이트 층간 화합물로부터 상기 금속 이온을 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 수화물은 Li, Na, K, Ca 및 Mg로 구성된 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속 이온을 제거하는 단계는 알코올, 아미드 및 물로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 용매 내에 상기 층간 화합물을 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 수화물은 소듐아세테이트 3수화물(Sodium acetate trihydrate(NaC2H3CO2
5 5
제1항에 있어서, 상기 혼합물을 가열하는 것은 100℃ 내지 400℃의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 그래핀 양자점을 용매에 재분산시켜 그래핀 양자점의 크기 및 밴드 갭(band gap)을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 용매는 물, 에탄올, 메탄올, 이소프로판올, 포름아미드, 디메틸설폭시드, 디메틸포름아미드, 아세트산, 아세토니트릴, 메톡시 에탄올, 테트라하이드로퓨란, 벤젠, 자일렌, 톨루엔 및 사이클로헥산으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 그라파이트 파우더와 상기 금속 수화물의 상기 혼합물을 형성하는 단계는 MoS2, WS2, MoSe2, MoTe2, TaSe2, NbSe2, NiTe2, BN 및 Bi2Te3 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 2차원 소재를 함께 혼합하는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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1 US09105780 US 미국 FAMILY
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1 US2015118143 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9105780 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 원천기술개발사업 글로벌프론티어연구개발사업