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새로운 조성의 황색 발광 Ce3+부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2016003642
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 형광체 및 백색 발광 다이오드에 관한 것으로써 구체적으로는 (Sr1-y-zMyNz)3-xSiO5:Ce3+x (x는 0 < x ≤ 0.3, M = 주기율표상의 알칼리토금속에서 선택되어지는 적어도 1종, y는 0 ≤ y ≤ 0.5, N = 주기율표상의 알칼리금속으로부터 선택되는 적어도 1종, z는 0 ≤ z ≤ 0.3)로 표시되는 Ce3+ 부활된 실리케이트계 형광체의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 형광체는 기존의 InGaN-base 청색 발광 다이오드 및 GaN-based 장파장자외선 발광 다이오드에 의하여 여기되어 넓은 스펙트럼의 발광을 나타낸다. 또한 본 발명에 따른 형광체를 이용한 발광 다이오드는 넓은 파장의 스펙트럼을 가지고 색순도 면에서 우수한 성질을 보이며, 발광 다이오드 및 액정디스플레이의 후면광원에 적용될 때, 매우 높은 발광 효율을 나타낼 수 있다.백색, 발광, 다이오드, Ce 부활 실리케이트계 형광체, 황색 형광체
Int. CL C09K 11/59 (2006.01) C09K 11/55 (2006.01)
CPC C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01) C09K 11/59(2013.01)
출원번호/일자 1020060034643 (2006.04.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0785492-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자 10-2007-0102869 (2007.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20071213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호성 대한민국 대전 유성구
2 전덕영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0265845-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0003401-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0106501-17
5 의견서
Written Opinion
2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0307394-74
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0307393-28
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0340772-95
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0603309-79
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0603310-15
10 등록결정서
Decision to grant
2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0649182-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 조성의 형광체 조성물:(Sr1-y-zMyNz)3-xSiO5:Ce3+x여기서, x는 0 < x ≤ 0
2 2
제 1항에 있어서, 형광체에 의해 발광하는 빛은 450~750nm의 파장대를 가지는 형광체 조성물
3 3
발광다이오드칩과 상기 발광 다이오드칩에서 출사된 빛에 의해 여기되는 하기 조성의 형광체 조성물을 포함하는 발광다이오드:(Sr1-y-zMyNz)3-xSiO5:Ce3+x여기서, x는 0 < x ≤ 0
4 4
제 3항에 있어서, 발광 다이오드칩은 청색 발광 다이오드칩 또는 자외선 발광다이오드칩인 발광다이오드
5 5
제 3항에 있어서, 발광 다이오드칩은 주피크 파장이 400~470nm인 발광다이오드
6 6
제 3항에 있어서, 상기 발광다이오드에 의해 여기되어 형광체에 의해 발광하는 파장이 450~750nm의 파장대를 가지는 발광다이오드
7 7
스트론튬카보네이트(SrCO3), 알칼리토금속 카보네이트(MCO3), 실리카(SiO2), 알칼리금속 카보네이트(N2CO3) 및 세륨옥사이드(CeO2)를 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 건조하는 단계; 및 상기 건조된 혼합물을 환원분위기에서 열처리하는 단계에 의해 하기 조성의 형광체 조성물을 제조하는 방법:(Sr1-y-zMyNz)3-xSiO5:Ce3+x여기서, x는 0 < x ≤ 0
8 8
제 7항에 있어서, 건조단계는 80~150℃하에 수행 되어지는 형광체 조성물의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 열처리 온도는 800~1600℃하에 수행 되어지는 형광체 조성물의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 환원분위기는 수소함량이 혼합가스의 부피를 기준으로 2~25 부피%인 질소혼합가스를 공급하여 제공 되어지는 형광체 조성물의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04617323 JP 일본 FAMILY
2 JP19284657 JP 일본 FAMILY
3 US07928648 US 미국 FAMILY
4 US20070241666 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2007284657 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4617323 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2007241666 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7928648 US 미국 DOCDBFAMILY
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