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박막 MEMS 칩 및 IC 칩의 3D 패키지

  • 기술번호 : KST2015117047
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 MEMS 칩 및 IC 칩의 3D 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2개 이상의 박막 IC 칩 및 MEMS 칩을 통합하고, 각 칩 간 신호 및 전력 교환을 위해 전도성 비아(via) 및 상기 전도성 비아 위에 형성된 전도성 물질로 구성되는 박막 MEMS 칩 및 IC 칩의 3D 패키지에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 수직으로 적층된 적어도 2개의 박막 IC 칩들; 및 상기 박막 IC 칩들 중 적어도 하나의 상면에 적층된 박막 MEMS 칩을 포함하되, 상기 박막 IC 칩들의 상면에는 회로가 형성되고, 상기 박막 IC 칩 또는 상기 박막 MEMS 칩의 신호 및 전력 소통을 위해 상기 박막을 관통하는 전도성 비아(Via)가 형성되고, 상기 전도성 비아와 상기 회로 또는 상기 MEMS 칩을 연결하기 위해 전도성 물질이 이용되는 것을 특징으로 하는 박막 IC 칩 및 박막 MEMS 칩의 3D 패키지를 제공한다. 박막, IC 칩, MEMS 칩, 전도성 비아, 3D 패키지
Int. CL H01L 23/52 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01)
CPC H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01)
출원번호/일자 1020080079572 (2008.08.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1099141-0000 (2011.12.20)
공개번호/일자 10-2010-0020808 (2010.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (20111226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권세진 대한민국 대전 유성구
2 김용대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0580435-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0230092-47
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0446384-82
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0446356-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0540521-71
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0011873-08
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0152006-11
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0251671-08
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0339424-78
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0418825-59
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0418832-79
12 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0712147-77
13 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2011.12.20 수리 (Accepted) 2-1-2011-0303820-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직으로 적층된 적어도 2개의 박막 IC 칩들; 및 상기 박막 IC 칩들 중 적어도 하나의 상면에 적층된 박막 MEMS 칩을 포함하되, 상기 박막 IC 칩들의 상면에는 회로가 형성되며, 상기 박막 IC 칩 또는 상기 박막 MEMS 칩의 신호 및 전력 소통을 위해 상기 박막을 관통하는 전도성 비아(Via)가 형성되고, 상기 전도성 비아와 상기 회로 또는 상기 MEMS 칩을 연결하기 위해 전도성 물질이 이용되며, 상기 박막 IC 칩의 두께는 5㎛ 내지 20㎛이고, 상기 박막 IC 칩들의 접착도를 증가시키기 위해 글래스 프릿(glass frit)이나 에폭시(epoxy)를 포함하는 비전도성 물질로 상기 박막 IC 칩들 사이를 언더필(underfill)하였으며, 상기 전도성 물질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 중 어느 하나를 포함하고 상기 박막 IC 칩들 또는 상기 박막 MEMS 칩의 접착제로 이용되는 것을 특징으로 하는 박막 IC 칩 및 박막 MEMS 칩의 3D 패키지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 회로 또는 상기 MEMS 칩은 상기 박막 IC 칩들의 상면 및 하면에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 IC 칩 및 박막 MEMS 칩의 3D 패키지
3 3
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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8 8
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청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.