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인터포저 기판 상의 나선 형태 이퀄라이저, 이를 포함하는 2.5차원 집적 회로 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015116387
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이퀄라이저는 제1 말단 및 제2 말단을 포함하는 인터포저 기판 상의 절연층 상부에 위치하는 나선 형태 제1 메탈; 제1 연결부 및 제2 연결부를 포함한다. 제1 연결부는 절연층 상의 전기적 신호가 흐르는 제2 메탈과 전기적으로 연결되는 제1 면; 및 제1 면에 대향하며, 나선 형태 제1 메탈의 제1 말단과 전기적으로 연결되는 제2 면을 포함한다. 제2 연결부는 절연층 상의 접지 전압이 연결되는 제3 메탈과 전기적으로 연결되는 제3 면; 및 제3 면에 대향하며, 나선 형태 제1 메탈의 제2 말단과 전기적으로 연결되는 제4 면을 포함한다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01)
CPC H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01) H01L 23/5227(2013.01)
출원번호/일자 1020130053587 (2013.05.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1486789-0000 (2015.01.21)
공개번호/일자 10-2014-0134011 (2014.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20150127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 대전광역시 유성구
2 김희곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0417538-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0040058-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0429649-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0733854-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0733855-88
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0716149-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 말단 및 제2 말단을 포함하는 인터포저 기판(Interposer substrate) 상의 절연층(Insulation layer) 상부에 위치하는 나선(Spiral) 형태 제1 메탈;제1 연결부; 및제2 연결부를 포함하고,상기 제1 연결부는상기 절연층 상의 전기적 신호가 흐르는 제2 메탈과 전기적으로 연결되는 제1 면; 및상기 제1 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제1 메탈의 제1 말단과 전기적으로 연결되는 제2 면을 포함하고,상기 제2 연결부는상기 절연층 상의 접지 전압이 연결되는 제3 메탈과 전기적으로 연결되는 제3 면; 및상기 제3 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제1 메탈의 제2 말단과 전기적으로 연결되는 제4 면을 포함하고,상기 나선 형태 제1 메탈은 저항(Resistor), 인덕터(Inductor) 및 커패시터(Capacitor)를 포함하는 수동 등가 회로로 모델링되는 이퀄라이저(Equalizer)
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 수동 등가 회로는 고주파 대역 통과 필터(High Pass Filter(HPF))로 동작하는 것을 특징으로 하는 이퀄라이저
7 7
제6 항에 있어서,상기 나선 형태 제1 메탈의 턴(Turn) 수에 따라 상기 수동 등가 회로의 고주파 대역 통과 특성이 변하는 것을 특징으로 하는 이퀄라이저
8 8
제7 항에 있어서,상기 나선 형태 제1 메탈의 단면 및 길이가 고정된 경우 상기 나선 형태의 턴 수에 따라 상기 수동 등가 회로의 저항의 저항 값은 유지되고, 상기 수동 등가 회로의 인덕터의 인덕턴스는 변하는 것을 특징으로 하는 이퀄라이저
9 9
제1 말단 및 제2 말단을 포함하는 인터포저 기판(Interposer substrate) 상의 절연층(Insulation layer) 상부에 위치하는 나선(Spiral) 형태 제1 메탈;제1 연결부; 및제2 연결부를 포함하고,상기 제1 연결부는상기 절연층 상의 전기적 신호가 흐르는 제2 메탈과 전기적으로 연결되는 제1 면; 및상기 제1 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제1 메탈의 제1 말단과 전기적으로 연결되는 제2 면을 포함하고,상기 제2 연결부는상기 절연층 상의 전원 전압이 연결되는 제3 메탈과 전기적으로 연결되는 제3 면; 및상기 제3 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제1 메탈의 제2 말단과 전기적으로 연결되는 제4 면을 포함하고,상기 나선 형태 제1 메달은 저항(Resistor), 인덕터(Indcutor) 및 커패시터(Capacitor)를 포함하는 수동 등가 회로로 모델링되는 이퀄라이저(Equalizer)
10 10
인터포저 기판(Interposer substrate);상기 인터포저 기판 상에 위치하는 제1 절연층(Insulation layer);상기 인터포저 기판과 상기 제1 절연층을 수직으로 관통하며 전기적 신호가 흐르는 제1 TSV(Through Silicon Via);상기 인터포저 기판과 상기 제1 절연층을 수직으로 관통하며 접지 전압 또는 전원 전압에 연결되는 제2 TSV;상기 인터포저 기판과 상기 제1 TSV 사이에 위치하는 제2 절연층;상기 인터포저 기판과 상기 제2 TSV 사이에 위치하는 제3 절연층;상기 제1 절연층 상에 위치하며 상기 제1 TSV와 전기적으로 연결된 제1 메탈;상기 제1 절연층 상에 위치하며 상기 제2 TSV와 전기적으로 연결된 제2 메탈; 및적어도 하나의 이퀄라이저(Equalizer)를 포함하고,상기 적어도 하나의 이퀄라이저는제1 말단 및 제2 말단을 포함하는 상기 제1 절연층 상부에 위치하는 나선(Spiral) 형태 제3 메탈;제1 연결부; 및제2 연결부를 포함하고,상기 제1 연결부는상기 제1 메탈과 전기적으로 연결되는 제1 면; 및상기 제1 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제3 메탈의 제1 말단과 전기적으로 연결되는 제2 면을 포함하고,상기 제2 연결부는상기 제2 메탈과 전기적으로 연결되는 제3 면; 및상기 제3 면에 대향하며, 상기 나선 형태 제3 메탈의 제2 말단과 전기적으로 연결되는 제4 면을 포함하는 2
11 11
제10 항에 있어서,상기 나선 형태 제3 메탈, 상기 제1 연결부, 상기 제2 연결부, 상기 제1 메탈 및 상기 제2 메탈을 내부에 포함하며 제1 절연층의 상부에 위치하는 제4 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2
12 12
인터포저 기판(Interposer substrate) 상의 절연층(Insulation layer) 상의 전기적 신호가 흐르는 제1 메탈과 상기 절연층 상의 제1 연결부의 제1 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 절연층 상의 접지 전압이 연결된 제2 메탈과 상기 절연층 상의 제2 연결부의 제1 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 절연층 상부에 위치하는 나선 형태 제3 메탈의 제1 말단과 상기 제1 연결부 내에서 상기 제1 연결부의 제1 면에 대향하는 상기 제1 연결부의 제2 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 나선 형태 제3 메탈의 제2 말단과 상기 제2 연결부 내에서 상기 제2 연결부의 제1 면에 대향하는 상기 제2 연결부의 제2 면을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 이퀄라이저 제조 방법
13 13
인터포저 기판(Interposer substrate) 상에 제1 절연층(Insulation layer)을 형성하는 단계;상기 인터포저 기판과 상기 제1 절연층을 수직으로 관통하고 전기적 신호가 흐르는 제2 절연층으로 둘러싸인 제1 TSV 및 상기 인터포저 기판과 상기 제1 절연층을 수직으로 관통하고 접지 전압 또는 전원 전압에 연결되는 제3 절연층으로 둘러싸인 제2 TSV를 형성하는 단계;상기 제1 TSV와 전기적으로 연결되며 상기 제1 절연층 상에 위치하는 제1 메탈 및 상기 제2 TSV와 전기적으로 연결되며 상기 제1 절연층 상에 위치하는 제2 메탈을 형성하는 단계;상기 제1 메탈과 상기 제1 절연층 상의 제1 연결부의 제1 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 제2 메탈과 상기 제1 절연층 상의 제2 연결부의 제1 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 제1 절연층 상부에 위치하는 나선 형태 제3 메탈의 제1 말단과 상기 제1 연결부 내에서 상기 제1 연결부의 제1 면에 대향하는 상기 제1 연결부의 제2 면을 전기적으로 연결하는 단계;상기 나선 형태 제3 메탈의 제2 말단과 상기 제2 연결부 내에서 상기 제2 연결부의 제1 면에 대향하는 상기 제2 연결부의 제2 면을 전기적으로 연결하는 단계; 및상기 나선 형태 제3 메탈, 상기 제1 연결부, 상기 제2 연결부, 상기 제1 메탈 및 상기 제2 메탈을 내부에 포함하며 제1 절연층의 상부에 위치하는 제4 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 산업원천기술개발사업 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술
2 교육과학기술부 (재)스마트 IT융합 시스템 글로벌프론티어사업(스마트 IT 융합 시스템 연구) 실리콘기반 3차원 IC 플랫폼