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탄소나노튜브가 3차원 망상 구조로 연결되어 형성된 다공성 구조체의 탄소나노튜브 필름을 포함하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 3차원 망상 구조가 10 nm 내지 10 μm의 기공직경을 갖는 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 필름이 5 내지 95 %의 기공도를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 필름이 20 nm 내지 1 cm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 열전재료가 10 W·K/m 이하의 열전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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제 1 항에 있어서,
상기 열전재료가 1000 Ω/□ 이하의 면저항을 갖는 것을 특징으로 하는 열전재료
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8
(a) 탄소나노튜브를 산처리 또는 초음파 처리하거나, 또는 산과 초음파 처리를 동시에 실시하여 전처리된 탄소나노튜브를 제조하는 단계;
(b) 상기 전처리된 탄소나노튜브를 분산매 중에서 기공형성용 입자와 혼합하여 기공형성용 입자·탄소나노튜브의 혼합 분산액을 제조하는 단계;
(c) 상기 제조된 기공형성용 입자·탄소나노튜브의 혼합 분산액을 기판 위에 도포하여 기공형성용 입자·탄소나노튜브층을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 제조된 기공형성용 입자·탄소나노튜브층을 가열, 광 조사, 용매 처리 또는 플라즈마 처리하여 기공형성용 입자를 제거함으로써 다공성 구조체의 탄소나노튜브 필름을 제조하는 단계
를 포함하는 제1항에 따른 다공성 구조체의 탄소나노튜브 필름을 포함하는 열전재료의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (a)에서 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 얇은 다중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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10
제 8 항에 있어서,
상기 단계 (a)에서 탄소나노튜브가 100 nm 내지 10 μm의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (b)의 기공형성용 입자가 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리라이신, 폴리디비닐벤젠, 폴리에틸렌옥사이드-폴리프로필렌옥사이드-폴리에틸렌옥사이드의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 유기 콜로이드 입자; 또는 실리카, 티타니아, 금, 은, 금 또는 은을 포함하는 합금, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 무기 콜로이드 입자인 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (b)에서 분산액이 폴리 3,4-에틸렌디옥시티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리(2-에틸헥실옥시-5-메톡시-1,4-페닐)비닐렌 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전도성 고분자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (c)에서의 기판이 피라나 처리 또는 산소 플라즈마 처리된 친수성 기판인 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (d)에서 가열 처리가 300 내지 550 ℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,
상기 단계 (d)에서 용매 처리가 기공형성용 입자·탄소나노튜브층이 형성된 기판을 HF 또는 톨루엔에 함침시켜 실시되는 것을 특징으로 하는 방법
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