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기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성하는 단계; 및
상기 산화물 반도체 수용액 상에 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법
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제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법
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제1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법
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4
제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 제조방법
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5
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연층 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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기판 상에 액상 제조공정에 의한 산화물 반도체 수용액을 형성한 후 레이저빔을 조사하여 열처리에 의한 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계;
상기 산화물 반도체 박막 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 레이저빔의 조사 시, 하프-톤 마스크를 이용하여 상기 산화물 반도체 박막 상에 서로 다른 특성을 갖는 적어도 2개의 영역이 일괄 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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7
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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8
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 적어도 2개의 영역 중 적어도 1개의 영역은 채널 영역인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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9
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 레이저빔은 상기 적어도 2개의 영역 중 소오스 및 드레인 전극으로 사용하기 위한 영역에서 에너지 밀도를 가장 크게 하여 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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10
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 산화물 반도체는 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, ZnO, InGaZnO4, ZnInO, ZnSnO, In2O3, Ga2O3, HfInZnO, GaInZnO, HfO2, SnO2, WO3, TiO2, Ta2O5, In2O3SnO2, MgZnO, ZnSnO3, ZnSnO4, CdZnO, CuAlO2, CuGaO2, Nb2O5 또는 TiSrO3 중 선택된 어느 하나의 물질 또는 상기 물질들의 화합물이 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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11
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 수용액은 졸-겔(Sol-GEL)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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12
제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 수용액을 형성하는 방법으로는 스크린 프린팅 (Screen Printing), 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯(Ink-Jet) 방법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
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