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화학 기상 증착법을 이용한 그래핀 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135405
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소자 제작용 기판 상에 직접 그래핀을 형성할 수 있는 그래핀 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 제조방법은 기판 상에 그라파이트화 촉매 박막을 형성한다. 그리고 그라파이트화 촉매 박막 상에 기상 탄소 공급원을 공급하면서 열처리하되, 그라파이트화 촉매 박막의 상부 및 하부에 그래핀층이 형성되도록 그라파이트화 촉매 박막의 두께 및 열처리 조건 중 적어도 하나를 조절하여, 기판 상에 제1 그래핀층, 그라파이트화 촉매 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 적층 구조물을 형성한다.
Int. CL C01B 31/04 (2006.01.01) B32B 9/00 (2006.01.01) C23C 16/00 (2006.01.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020090120650 (2009.12.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0064164 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울특별시 관악구
2 김현미 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0754719-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0051754-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0471498-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0043884-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 그라파이트화 촉매 박막을 형성하는 단계; 및 상기 그라파이트화 촉매 박막 상에 기상 탄소 공급원을 공급하면서 열처리하되, 상기 그라파이트화 촉매 박막의 상부 및 하부에 그래핀층이 형성되도록 상기 그라파이트화 촉매 박막의 두께 및 열처리 조건을 조절하여, 상기 기판 상에 제1 그래핀층, 그라파이트화 촉매 박막 및 제2 그래핀층이 순차적으로 적층된 적층 구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 적층 구조물을 형성하는 단계 이후에, 상기 그라파이트화 촉매 박막 및 제2 그래핀층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 탄소가 용해된 금속 박막 사이에는 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 박막은 금속 카바이드(carbide)를 형성하지 않는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속 물질은 Ni, Co, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 일산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열처리는 300 내지 1200℃ 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 21세기 프론티어 연구개발사업 원자 이미지를 이용한 양자점 형성기술개발