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기판;상기 기판 상에 상기 기판 면으로부터 이격 형성된 것으로, 지지영역과 상기 지지영역보다 좁은 폭을 가지는 가열영역을 구비하는 마이크로 히터부;상기 지지영역과 상기 기판 사이에 마련되어, 상기 마이크로 히터부를 지지하는 지지부;상기 가열영역 위에 일차원적으로 수직 성장된 나노코어부 및 상기 나노코어부의 표면에서 방사형으로 순차 성장된 복수의 반도체층을 포함하며, 상기 나노코어부와 상기 복수의 반도체층 중, 적어도 하나는 p형, 적어도 하나는 n형으로 도핑된, 복수의 나노로드 발광구조체;상기 복수의 나노로드 발광구조체의 표면의 적어도 일부를 둘러싸는 투명전극층;을 포함하는 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 나노코어부는 ZnO 계열의 반도체 또는 GaN 계열의 반도체물질을 포함하는 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 복수의 반도체층은 p형으로 도핑된 p형반도체층과 n형으로 도핑된 n형반도체층을 포함하는 발광 소자
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제2항에 있어서,상기 나노코어부는 p형 또는 n형으로 도핑되고, 상기 복수의 반도체층은 상기 나노코어부와 다른 타입으로 도핑된 반도체층을 포함하는 발광소자
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 나노로드 발광구조체는 p형으로 도핑된 영역과 n형으로 도핑된 영역 사이에 형성된 다중 양자 우물 구조층을 포함하는 발광 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판인 발광 소자
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기판 상에, 상기 기판 면으로부터 이격 형성되고 지지영역 및 상기 지지영역보다 좁은 폭을 가지는 가열영역을 구비하는 마이크로 히터부와 상기 마이크로 히터부를 지지하는 지지부를 형성하는 단계;상기 마이크로 히터부를 줄-가열(joule heating)하며, 상기 가열 영역상에 복수의 나노코어부를 일차원적으로 수직 성장시키는 단계; 상기 복수의 나노코어부 각각의 표면으로부터 복수의 반도체층을 방사형으로 순차 성장시키되, 상기 나노코어부와 상기 복수의 반도체층 중 적어도 하나는 p형, 적어도 하나는 n형으로 도핑하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 나노코어부를 일차원적으로 수직 성장시키는 단계에서, 유기 금속 화학 기상 증착법 (MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)을 사용하는 발광 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기판으로 유리 기판을 사용하는 발광 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 마이크로 히터부와 지지부를 형성하는 단계는,기판상에 산화실리콘층을 형성하는 단계;상기 산화실리콘층 위에 금속물질층을 형성하는 단계;상기 금속물질층 위에 포토리지스트층을 형성하는 단계;상기 포토리지스트층을 상기 가열영역과 지지영역에 각각 대응하는 제1영역 및 제2영역을 구비하는 패턴으로 패터닝하는 단계;패터닝된 상기 포토리지스트층을 마스크로 하여 상기 금속물질층과 산화실리콘층을 식각하고 상기 포토리지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 산화실리콘층을 식각할 때, 상기 지지영역 하부에 대응하는 부분에만 산화실리콘 물질이 남고 나머지 부분의 산화실리콘 물질은 식각되도록 습식 식각하는 발광 소자 제조방법
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제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노코어부는 질화 갈륨(GaN) 계열의 반도체 또는 산화 아연(ZnO) 계열의 반도체 물질을 포함하여 형성되는 발광 소자 제조방법
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제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 반도체층은 p형으로 도핑된 p형반도체층과 n형으로 도핑된 n형반도체층을 포함하도록 형성되는 발광 소자 제조방법
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