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산화성 가스 플라즈마를 이용하여 기판을 전처리하는 단계; 및탄소 소스가 포함된 공정가스를 상기 기판 상으로 공급하여 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화성 가스는 O2, O3, F2, Cl2 및 Br2 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 전처리하는 단계 이전에, 또는 상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 사이에, 상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 그래핀층은 상기 마스크 패턴에 의해 노출된 영역 내에 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계 사이에, 환원성 가스 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 처리하는 단계 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 환원성 가스는 H2, Ar, He 및 N2 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 전처리하는 단계와 상기 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계는 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착 챔버 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법
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기판 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 질화물 반도체층 상에 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착 방법으로 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조 방법
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