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1
상부 및 하부 도전층;상기 상부 및 하부 도전층 사이에 형성된 쌍안정 전도성 특성을 갖는 전도성 유기물층; 및상기 유기물층 내에 형성된 양자 점층을 포함하고, 상기 양자 점층은 결정성 물질의 양자 점과, 상기 결정성 물질을 감싸는 비결정성 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 양자 점층은 Al,Mg, Zn, Fe, Ni와 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 비결정 물질이 존재하는 비휘발성 메모리 소자
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3
청구항 2에 있어서, 상기 양자 점은 γ-Al2O3의 결정성 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
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청구항 1에 있어서,상기 양자 점층은 0
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청구항 1에 있어서, 상기 양자 점층은 5 내지 40nm의 두께인 비휘발성 메모리 소자
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6
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 유기물층으로 AIDCN, α-NPD 및 Alq3 중 적어도 어느 하나의 전도성 유기물을 사용하는 비휘발성 메모리 소자
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7
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 유기물층은 10 내지 100nm의 두께인 비휘발성 메모리 소자
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8
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 유기물층은 상기 양자 점층을 기준으로 상부와 하부 전도성 유기물층을 포함하고, 상기 상부 및 하부 전도성 유기물층은 두께 차이를 갖는 비휘발성 메모리 소자
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9
청구항 1에 있어서, 0
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10
기판 상에 하부 도전층을 형성하는 단계;상기 하부 도전층이 형성된 상기 기판상에 제 1 전도성 유기물층을 형성하는 단계;상기 하부 도전층의 일부와 중첩되도록 상기 제 1 전도성 유기물층 상에 상기 양자 점층을 형성하는 단계;상기 양자 점층이 형성된 제 1 전도성 유기물 상에 제 2 전도성 유기물을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전도성 유기물 상에 상기 양자 점층과 그 일부가 중첩 되도록 상부 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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11
청구항 10에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도성 유기물층 각각은,AIDCN, α-NPD 및 Alq3 중 적어도 어느 하나의 유기물을 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도성 유기물층의 두께는 20 내지 80nm의 두께로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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13
청구항 10에 있어서, 상기 양자 점은 Al, Mg, Zn, Fe, Ni와 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 사용하여 증발 증착 챔버 내에서 상기 금속의 산화를 통해 결정성 양자점을 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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14
청구항 10에 있어서, 상기 양자 점층은 10 내지 30nm 두께로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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15
청구항 10에 있어서, 상기 양자 점층은 0
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16
청구항 10에 있어서, 상기 양자점층은 0
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17
청구항 10 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전층, 전도성 유기물층 및 양자 점층은 진공 증발법을 통해 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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18
청구항 17에 있어서, 상기 도전층, 전도성 유기물층 및 양자 점층은 다수의 증착 챔버를 포함하는 단일 증착 시스템 내에서 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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