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금속 실리사이드 입자를 구비하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141034
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 실리사이드 입자를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법을 제공한다. 제조방법은 기판 상에 터널링 절연막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 터널링 절연막 상에 금속 실리사이드막을 형성한다. 상기 금속 실리사이드막이 형성된 기판을 열처리하여 금속 실리사이드 입자들을 형성한다. 상기 금속 실리사이드 입자들 상에 컨트롤 절연막을 형성한다. 상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극막을 형성한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020080102335 (2008.10.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0043342 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 조원주 대한민국 서울특별시 노원구
3 이동욱 대한민국 서울특별시 성동구
4 서기봉 대한민국 광주광역시 광산구
5 이태희 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0725167-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044011-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0322387-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0611208-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0611198-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0490169-95
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0604563-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 터널링 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연막 상에 금속 실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 금속 실리사이드막이 형성된 기판을 열처리하여 금속 실리사이드 입자들을 형성하는 단계; 상기 금속 실리사이드 입자들 상에 컨트롤 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 컨트롤 절연막 상에 게이트 전극막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 등가 산화막 두께가 3nm 내지 5nm인 비휘발성 메모리 소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 실리콘 산화막(SiO2), 하프늄 산화막(HfO2), 지르코늄 산화막(ZrO2), 또는 알루미늄 산화막(Al2O3)으로 형성하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막은 텅스텐, 티타늄, 코발트, 니켈, 탄탈륨, 몰리브덴 또는 이들의 합금막인 비휘발성 메모리 소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 실리사이드막은 1nm 내지 2nm의 두께를 갖는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 컨트롤 절연막은 상기 터널링 절연막에 비해 유전율이 높은 막인 비휘발성 메모리 소자 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판은 채널 리세스부를 포함하고, 상기 터널링 절연막은 상기 채널 리세스부 내에 형성하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 반도체막을 포함하고, 상기 채널 리세스부는 상기 반도체막 및 상기 기판의 상부 일부 내에 형성된 비휘발성 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한양대학교 산학협력단 산업 기술 개발 사업 (전략기술 개발사업) 고 신뢰성 금속 및 금속 산화물 나노 입자가 장착된 3차원 NFGM 소자 개발