맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플래시 메모리 소자 및 그 읽기 동작 제어 방법

  • 기술번호 : KST2015140769
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 메모리 소자 및 그 읽기 동작 제어 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판; 소스 영역과 드레인 영역 사이에 형성되며, 각각 상이한 농도로 도핑된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 채널 영역; 채널 영역의 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 및 플로팅 게이트의 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하는 플래시 메모리 소자가 제공될 수 있다. 본 발명에 의하면, 각각 도핑 농도가 다른 다중 채널 구조를 통하여 플래시 메모리 소자에서의 읽기 동작 시간 및 프로그램 확인 시간을 줄일 수 있고, 소자 주변의 전류 측정 회로의 전류 측정 이득을 높일 수 있는 효과가 있다.플래시 메모리, 플로팅 게이트, 다중 준위, 다중 채널.
Int. CL H01L 27/11521 (2017.01.01) G11C 5/02 (2006.01.01) G11C 16/26 (2006.01.01) G11C 16/30 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020060112836 (2006.11.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0866405-0000 (2008.10.27)
공개번호/일자 10-2008-0044042 (2008.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20081103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.15)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 김재호 대한민국 서울 동대문구
3 이정우 대한민국 서울 강남구
4 문경식 대한민국 경기 평택시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0835890-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0066253-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0647724-70
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0078477-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078415-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0282028-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0528175-99
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0528190-74
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0542420-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판;상기 반도체 기판에서 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 간이 연결되는 길이 방향을 따라 나란히 형성되며, 각각 상이한 농도로 도핑된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 채널 영역;상기 채널 영역의 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 및상기 플로팅 게이트의 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하는 플래시 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 N개의 채널 영역은 제1 채널 영역 및 상기 제1 채널 영역보다 높은 농도로 도핑된 제2 채널 영역의 2개의 채널 영역으로 형성되는 플래시 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 도핑된 반도체 기판을 이용하되,상기 N개의 채널 영역 중 어느 하나의 채널 영역은 상기 도핑된 반도체 기판의 소정 영역으로 형성되는 플래시 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
소스 영역과 드레인 영역을 가지는 반도체 기판, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 형성된 제1 채널 영역 및 상기 제1 채널 영역보다 높은 농도로 도핑된 제2 채널 영역, 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 포함하는 플래시 메모리 소자에서의 읽기 동작을 제어하기 위한 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법에 있어서,상기 컨트롤 게이트에 제1 게이트 전압(V1)을 인가함에 따라 상기 드레인 영역에서 측정되는 제1 드레인 전류(ID1) 및 상기 컨트롤 게이트에 제2 게이트 전압(V2)을 인가함에 따라 상기 드레인 영역에서 측정되는 제2 드레인 전류(ID2)를 미리 설정된 제1 기준 전류(IREF1) 및 제2 기준 전류(IREF2)와 각각 크기 비교하여 상기 플로팅 게이트에 축적된 전하량에 상응하는 프로그래밍 상태를 결정하는 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 제1 게이트 전압(V1) 및 상기 제2 게이트 전압(V2)은 하기 부등식 1 내지 부등식 5를 모두 만족하는 값으로 결정되는 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 제1 드레인 전류(ID1) 및 상기 제2 드레인 전류(ID2)와 상기 제1 기준 전류(IREF1) 및 상기 제2 기준 전류(IREF2)간의 비교는 하기 부등식 6 내지 부등식 10에 의하되,상기 제1 프로그래밍 상태 내지 상기 제5 프로그래밍 상태는 하기 부등식 6 내지 부등식 10과 일대일 대응되도록 설정된 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제2 기준 전류(IREF2)는 0 또는 이에 상응하는 소정의 전류 값으로 설정되되,상기 제1 기준 전류(IREF1)는 상기 제1 채널 영역 및 상기 제2 채널 영역에 각각 전류가 흐르는 경우에는 상기 제1 드레인 전류(ID1) 및 상기 제2 드레인 전류(ID2)가 각각 상기 제1 기준 전류(IREF1)보다 크고, 상기 제1 채널 영역에만 전류가 흐르는 경우에는 상기 제1 드레인 전류(ID1) 및 상기 제2 드레인 전류(ID2)가 각각 상기 제2 기준 전류(IREF2)보다 크고 상기 제1 기준 전류(IREF1)보다 작도록 설정되는 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 제1 프로그래밍 상태 내지 상기 제5 프로그래밍 상태 중 어느 네 개의 프로그래밍 상태는 '00', '01', '10'및 '11'중 어느 하나의 준위와 각각 일대일 대응되는 플래시 메모리 소자의 읽기 동작 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.