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플래시 기억 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140859
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판; 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 중간 영역 상에 형성되는 고분자 박막; 상기 고분자 박막의 내부에 분포하는 CdSe 나노 입자; 상기 소스 영역 상에 형성된 소스 전극; 상기 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극; 및 상기 고분자 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자가 제공된다. 본 발명에 플래시 기억 소자에 의하면, 우수한 재현성 및 신뢰성, 제조 비용의 절감 및 생산성 향상이 가능하며, 디스크형 저장 장치는 물론 휴대폰, PMP 등의 휴대용 전자기기의 대용량, 고용량의 저장 장치로서도 활용이 가능한 효과가 있다.플래시 기억 소자, 플로팅 게이트, PVK, CdSe 나노 입자
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070032568 (2007.04.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0849992-0000 (2008.07.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.02)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 리, 푸샨 중국 서울특별시 성동구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256250-23
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0044738-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0234082-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0234040-72
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0390552-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판;상기 소스 영역 상에 위치하는 소스 전극;상기 드레인 영역 상에 위치하는 드레인 전극;상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 반도체 기판의 상부에 위치하는 게이트 전극; 및상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 사이에 개재되어, 상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 간에 인가된 쓰기 전압에 따라 상기 반도체 기판에 형성된 반전층으로부터 전하를 축적하고, 상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 간에 인가된 소거 전압에 따라 상기 축적된 전하를 상기 반도체 기판으로 방출함으로써, 상기 반도체 기판과 상기 게이트 전극 간에 읽기 전압의 인가시 상기 전하의 축적 유무에 따라 상기 반도체 기판에서 상기 소스 영역으로부터 상기 드레인 영역으로 향하는 드레인 전류의 존부를 결정짓게 하는 플로팅 게이트를 포함하되,상기 플로팅 게이트는 내부에 CdSe 나노 입자가 분포된 고분자 박막으로 형성되고, 상기 CdSe 나노 입자는 상기 전하 축적을 위해 상기 반전층으로부터 생성된 전하의 포획을 담당하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 고분자 박막은 폴리비닐카바졸(PVK) 박막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 플로팅 게이트 사이에 터널 절연막이 더 개재되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 터널 절연막은 SiO2막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
5 5
(a) 반도체 기판 상에 터널 절연막을 형성하는 단계;(b) 고분자 박막을 형성할 물질과 CdSe 나노 입자를 용매에 녹여 혼합한 혼합 용액을 상기 터널 절연막 상에 스핀 코팅하는 단계;(c) 가열 공정을 통해 상기 용매를 제거함으로써, 상기 CdSe 나노 입자가 분포된 고분자 박막에 의한 플로팅 게이트를 형성하는 단계;(d) 상기 반도체 기판의 양 측부에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및(e) 상기 소스 영역, 상기 드레인 영역, 상기 플로팅 게이트 상에 각각 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 단계 (a)의 상기 터널 절연막은 SiO2막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 단계 (b)의 고분자 박막을 형성할 상기 물질은 폴리비닐카바졸(PVK)인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 단계 (b)의 상기 용매는 1,2-dichloroethane인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 단계 (c)에서,상기 용매의 제거는 100℃에서 2분 동안 열을 가하는 공정에 의하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.