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플래시 기억 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140801
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판; 소스 영역 및 드레인 영역의 사이의 중간 영역 상에 형성된 절연성 반도체 박막; 절연성 반도체 박막과 상이한 에너지 금지 대역(energy band gap)을 가지는 반도체 양자점이 절연성 반도체 박막의 내부 공간에 층을 이루며 형성된 양자점층; 소스 영역 상에 형성된 소스 전극; 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극; 및 절연성 반도체 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자가 제공된다. 본 발명에 의하면, 내부에 반도체 양자점이 형성된 절연성 반도체 박막을 플로팅 게이트로 사용함으로써 우수한 재현성, 제조 비용의 절감 및 공정 시간의 단축이 가능한 효과가 있다.플래시 기억 소자, 절연성 반도체, 양자점.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070023620 (2007.03.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0798950-0000 (2008.01.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 정재훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0195152-93
2 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0026352-80
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 영역 및 드레인 영역을 가지는 반도체 기판;상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 사이의 중간 영역 상에 형성된 절연성 반도체 박막;상기 절연성 반도체 박막과 상이한 에너지 금지 대역(energy band gap)을 가지는 반도체 양자점이 상기 절연성 반도체 박막의 내부 공간에 층을 이루며 형성된 양자점층;상기 소스 영역 상에 형성된 소스 전극;상기 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극; 및상기 절연성 반도체 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 플래시 기억 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 양자점의 에너지 금지 대역은 상기 절연성 반도체 박막의 에너지 금지 대역보다 작은 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 양자점층은 상기 절연성 반도체 박막의 내부 공간에 복수개 형성되되,상기 복수개의 양자점층은 상기 절연성 반도체 박막의 내부 공간에 소정 간격으로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 절연성 반도체 박막은 GaAs, InP, ZnTe, ZnSe, ZnS 및 Si 중 어느 하나로 형성되고,상기 반도체 양자점은 InAs, InXGa1-XAs, InXAs1-XP, CdTe, CdXZn1-XTe, CdSe, CdS, ZnSe, ZnXCd1-XSe 및 Ge 중 어느 하나의 양자점으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자
5 5
(a) 반도체 기판 상에 절연성 반도체 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연성 반도체 박막 상에 상기 절연성 반도체 박막과 상이한 에너지 금지 대역을 갖는 반도체 물질을 형성하는 단계-여기서, 상기 반도체 물질은 상호 응집함에 의해 결정화된 양자점층을 형성함-;(c) 상기 양자점층의 상부에 상기 절연성 반도체 박막을 재형성하는 단계;(d) 상기 반도체 기판의 양 측부에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및(e) 상기 소스 영역, 상기 드레인 영역, 상기 재형성된 절연성 반도체 박막 상에 각각 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 (b) 단계에서 형성되는 반도체 물질의 에너지 금지 대역은 상기 절연성 반도체 박막의 에너지 금지 대역보다 작은 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 (d) 단계가 진행되기 이전,상기 (b) 단계 및 상기 (c) 단계를 N번(N은 2이상의 자연수) 반복하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 (a) 단계 및 상기 (c) 단계에서 형성되는 상기 절연성 반도체 박막은 GaAs, InP, ZnTe, ZnSe, ZnS 및 Si 중 어느 하나이고,상기 (b) 단계에서 형성되는 상기 반도체 물질은 InAs, InXGa1-XAs, InXAs1-XP, CdTe, CdXZn1-XTe, CdSe, CdS, ZnSe, ZnXCd1-XSe 및 Ge 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 기억 소자의 제조 방법
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