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유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015142556
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극; 제1 전극 상에 형성된 유기물층; 유기물층 내부에 각각 이격되어 형성된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 나노 입자층; 및 유기물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자가 제공될 수 있다. 본 발명에 의하면 유기물 박막 내에 형성된 다층 구조의 금속 나노 입자를 기억 소자의 쌍안정성 특성 또는 다중 준위 특성의 구현을 위해 이용함으로써 고용량 및 고효율을 갖는 기억 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.기억 소자, 쌍안정성, 유기물, 금속 나노 입자.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01)
출원번호/일자 1020060112409 (2006.11.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0777419-0000 (2007.11.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 정재훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0833159-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0051438-66
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0601505-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 유기물층;상기 유기물층 내부에 각각 이격되어 형성된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 나노 입자층; 및상기 유기물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 유기물층은 9,10-bis-{9,9-di-[4-(phenyl-p-tolyl-amino)-phenyl]-9H-fluoren-2-yl}-anthracene(DAFA)으로 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 나노 입자층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐(In), 갈륨(Ga), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 철(Fe) 및 아연(Zn) 중 어느 하나의 나노 입자에 의해 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 N개의 나노 입자층은 각각 동일 간격으로 이격되어 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 교차되어 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자
6 6
(a) 반도체 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 전극 상에 내부에 각각 이격되어 형성된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 나노 입자층을 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 단계 (b)는(b1) 상기 제1 전극 상에 유기물 박막을 형성하는 단계;(b2) 상기 유기물 박막 상에 나노 입자를 형성할 물질을 증착하는 단계;(b3) 상기 나노 입자를 형성할 물질 상에 상기 유기물 박막을 재형성하는 단계; 및(b4) 상기 나노 입자를 형성할 물질에 빔을 조사하여 상기 유기물 박막 간에 나노 입자층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 단계 (b2) 내지 단계 (b4)는 순차적으로 N번 반복되는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 나노 입자를 형성할 물질은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 인듐(In), 갈륨(Ga), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 철(Fe) 및 아연(Zn) 중 어느 하나인 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 나노 입자를 형성할 물질에 조사되는 상기 빔은 전자빔 또는 이온빔인 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서,상기 유기물 박막은 9,10-bis-{9,9-di-[4-(phenyl-p-tolyl-amino)-phenyl]-9H-fluoren-2-yl}-anthracene(DAFA)으로 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서,상기 단계 (c)에서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 서로 교차하여 형성되는 유기 쌍안정성 기억 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.