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산소 원자 공공이 함유된 터널 베리어를 구비하는 자기 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141028
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산소 원자 공공이 함유된 터널 베리어를 구비하는 자기 메모리 소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 자기 메모리 소자는 하부 강자성체, 상부 강자성체, 및 상기 상하부 강자성체들 사이에 개재된 금속 산화막인 터널 베리어를 포함한다. 상기 터널 베리어는 상기 상하부 강자성체들 중 적어도 하나와 접하는 계면 내에 산소 공공을 함유한다. 터널 베리어의 계면 내에 산소 공공을 형성함으로써, 이와 접하는 강자성체의 자기 모멘트를 향상시킬 수 있다. 이와 더불어서, 터널 베리어의 majority 채널 밴드 구조와 minority 채널의 밴드 구조의 비대칭성을 증가시킬 수 있다. 이 경우, 자기 메모리 소자의 터널 자기 저항비가 향상될 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01) H01L 27/228(2013.01)
출원번호/일자 1020080104059 (2008.10.23)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0045037 (2010.05.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용재 대한민국 서울특별시 강남구
2 김치호 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0735666-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0423324-16
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0784183-40
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0784196-33
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0352797-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
하부 강자성체; 상부 강자성체: 및 상기 상하부 강자성체들 사이에 개재된 금속 산화막인 터널 베리어를 포함하고, 상기 터널 베리어는 상기 상하부 강자성체들 중 적어도 하나와 접하는 계면 내에 산소 공공을 함유하는 자기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 터널 베리어는 상기 상하부 강자성체들에 접하는 상하부 계면 내에 모두 산소 공공을 함유하는 자기 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 산소 공공의 함유량은 25% 내지 75%인 자기 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 상하부 강자성체들은 서로에 관계없이 철, 코발트, 니켈, 또는 이들의 합금막인 자기 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 터널 베리어는 알루미늄 산화막(AlOx) 또는 마그네슘 산화막(MgO)인 자기 메모리 소자
6 6
기판 상에 하부 강자성막, 비자성막 및 상부 강자성막을 차례로 적층하는 단계; 상기 상부 강자성막, 상기 비자성막 및 상기 하부 강자성막을 패터닝하여 차례로 적층된 하부 강자성체, 터널 베리어 및 상부 강자성체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 비자성막은 상기 상하부 강자성막들 중 적어도 하나와 접하는 계면 내에 산소 공공을 함유하도록 형성하는 자기 메모리 소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 비자성막을 형성하는 것은 원자층 증착법을 사용하여 형성하는 자기 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.