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비휘발성 메모리장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141159
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 배선 공정을 단순화할 수 있고, 드레인선택라인이 차지하는 면적을 감소시킬 수 있는 비휘발성메모리장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 비휘발성 메모리 장치 제조 방법은 복수의 활성층과 복수의 절연층이 교대로 적층된 다층막을 형성하는 단계; 상기 다층막의 일측 끝단을 식각하여 계단형 비트라인연결부를 형성하는 단계; 상기 다층막을 식각하여 복수의 스트링을 형성하는 단계; 및 상기 비트라인연결부에 연결되는 복수의 비트라인을 형성하는 단계를 포함하며, 상술한 본 발명은 동일 스트링층의 모든 스트링들과 이어져 있는 비트 라인과 다층의 스트링을 동시에 선택하는 하나의 드레인선택라인을 이용하여 다층의 스트링을 선택 가능하게 하므로, 적층되는 활성층의 수가 증가하더라도 드레인선택라인이 소비하는 면적 증가는 없으므로, 집적도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/11578 (2017.01.01) H01L 27/11568 (2017.01.01) G11C 16/04 (2006.01.01) G11C 5/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01) H01L 27/11578(2013.01)
출원번호/일자 1020100040884 (2010.04.30)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1102548-0000 (2011.12.28)
공개번호/일자 10-2011-0121332 (2011.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20120104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.30)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김석구 대한민국 경기도 의왕시 오전동
2 이승백 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 이준혁 대한민국 서울특별시 성동구
4 오슬기 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0282404-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0030059-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0310406-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0611094-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0611095-53
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0632376-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0937579-06
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0937580-42
10 보정요구서
Request for Amendment		 2011.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0113570-85
11 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0962149-63
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0999278-00
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0747595-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 스트링, 상기 복수의 스트링을 연결하는 연결부 및 상기 연결부를 통해 상기 복수의 스트링과 연결된 비트라인연결부를 포함하는 활성층이 수직방향으로 복수 적층된 스트링 구조체; 및상기 활성층 각각의 비트라인연결부에 접속된 복수의 비트라인을 포함하고,상기 복수의 활성층의 비트라인연결부는 상기 수직 방향으로 계단 형태를 갖는 비휘발성 메모리 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 스트링 구조체에서,상기 복수의 스트링은 수평 방향으로 연장되고, 하나의 상기 비트라인은 상기 활성층의 복수의 스트링을 모두 선택하는 형태를 갖는 비휘발성 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 비트라인은 상기 스트링 구조체의 상부에 형성된 비휘발성 메모리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 비트라인과 상기 복수의 스트링은 동일한 방향으로 연장된 형태를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 비트라인은 비트라인플러그를 통해 상기 비트라인연결부와 연결된 비휘발성 메모리 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 스트링 구조체의 하부에 형성되고 상기 스트링을 선택하는 복수의 드레인선택라인; 및상기 스트링 구조체와 드레인선택라인 사이에 형성되며, 서로 이격되는 복수의 워드라인, 소스선택라인 및 공통소스라인을 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 드레인선택라인, 상기 복수의 워드라인과 소스선택라인은 각각의 상기 스트링 양측에 구비된 수직방향의 플러그와 접속된 비휘발성 메모리 장치
9 9
제7항에 있어서,상기 공통소스라인의 연결부는 계단형태를 갖고, 상기 드레인선택라인은 상기 스트링 단위로 개별적으로 분리되는 비휘발성 메모리 장치
10 10
제7항에 있어서,상기 스트링과 비트라인은 제1방향으로 연장된 형태이고, 상기 복수의 워드라인, 소스선택라인 및 공통소스라인은 상기 제1방향과 수직교차하는 제2방향으로 연장된 형태인 비휘발성 메모리 장치
11 11
제1항에 있어서,상기 스트링구조체는 슬릿에 의해 분할된 복수의 블록 각각에 구비되며, 상기 복수의 블록 각각은 서로 대칭되는 상기 비트라인연결부를 구비하는 비휘발성 메모리 장치
12 12
복수의 활성층과 복수의 절연층이 교대로 적층된 다층막을 형성하는 단계;상기 다층막의 일측 끝단을 식각하여 복수의 계단을 갖는 비트라인연결부를 형성하는 단계;각각의 상기 활성층이 복수의 스트링을 갖도록 상기 다층막을 식각하는 단계; 및상기 비트라인연결부의 각 계단에 연결되는 복수의 비트라인을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 스트링 단위로 분리되고 수직방향으로 적층된 상기 스트링을 동시에 선택하는 복수의 드레인선택라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 비트라인연결부를 형성하는 단계에서,상기 복수의 계단은, 각각의 상기 활성층의 일측 끝단에 형성하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
15 15
제12항에 있어서,상기 비트라인연결부를 형성하는 단계는,상기 다층막 상에 상기 비트라인연결부로 예정된 영역을 오픈시키는 제1마스크를 형성하는 단계;상기 제1마스크 상에 제2마스크를 형성하는 단계;상기 제2마스크 및 상기 제1마스크를 이용하여 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 비트라인연결부를 형성하는 단계는,상기 복수의 계단이 형성되도록 상기 제2마스크를 수회 슬리밍한 후 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
17 17
제12항에 있어서,상기 활성층이 복수의 스트링을 갖도록 상기 다층막을 식각하는 단계는,상기 복수의 스트링이 독립되도록 복수의 식각부를 형성하면서 상기 비트라인연결부와 상기 복수의 스트링을 연결하는 연결부를 동시에 형성하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 식각부를 형성하는 단계 이후에,상기 비트라인연결부 및 연결부의 활성층을 전도성물질로 치환시키는 단계를 진행하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
19 19
제12항에 있어서,상기 다층막을 형성하기 전에,기판 상부에 복수의 드레인선택라인, 복수의 워드라인, 소스선택라인 및 공통소스라인을 포함하는 전극 배선을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리장치 제조 방법
20 20
제12항에 있어서,상기 비트라인을 형성하는 단계 이후에,복수의 워드라인, 소스선택라인 및 공통소스라인을 형성하는 단계; 및복수의 드레인선택라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
21 21
제19항 또는 제20항에 있어서,상기 복수의 드레인선택라인은 각각의 상기 스트링 단위로 분리되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
22 22
제21항에 있어서,상기 비트라인을 형성하기 전에,상기 복수의 드레인선택라인에 접속되도록 상기 스트링 양측에 플러그를 형성하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 플러그 형성시 상기 복수의 워드라인과 소스선택라인에 접속되는 플러그를 동시에 형성하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
24 24
제12항에 있어서,상기 다층막의 일측 끝단을 식각하여 복수의 계단을 갖는 비트라인연결부를 형성하는 단계 이전에,상기 비트라인결부로 예정된 상기 다층막의 활성층을 전도성물질로 치환시키는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
25 25
제12항에 있어서,상기 비트라인 연결부를 형성하는 단계 이후에,상기 다층막을 복수의 블록으로 분할하는 슬릿 형성 단계를 더 포함하고,상기 복수의 블록은 각각 상기 비트라인연결부를 갖도록 하는 비휘발성 메모리 장치 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102237368 CN 중국 FAMILY
2 US20110266604 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102237368 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2011266604 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.