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멀티 레벨 셀 메모리를 위한 양자화기 및 이를 포함하는 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2014047136
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 메모리 장치의 양자화기는 데이터를 저장하는 n-비트 멀티레벨 셀 메모리의 제1비트 내지 제n비트의 값을 판별하는 제1양자화기 내지 제n양자화기를 포함하며, 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 제1 내지 k비트의 값을 이용하여 제k+1양자화기가 제k+1비트의 값을 판별하며, 상기 n은 2이상의 정수이며 상기 k는 1이상 n-1이하의 정수이다.
Int. CL G11C 16/22 (2006.01) G11C 29/42 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01)
CPC G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020100124144 (2010.12.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1206820-0000 (2012.11.26)
공개번호/일자 10-2012-0063103 (2012.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20121130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.07)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재균 미국 대전광역시 유성구
2 김준우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0805025-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091549-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0187832-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.17 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2012-0222905-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0479687-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0479688-98
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0712168-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
데이터를 저장하는 n-비트 멀티레벨 셀 메모리의 제1비트 내지 제n비트의 값을 판별하는 제1양자화기 내지 제n양자화기를 포함하며, 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 제1 내지 k비트의 값을 이용하여 제k+1양자화기가 제k+1비트의 값을 판별하며, 상기 n은 2이상의 정수이며 상기 k는 1이상 n-1이하의 정수인,메모리 장치의 양자화기
2 2
제1항에 있어서,상기 데이터는 셋파티셔닝에 의한 매핑에 의해 상기 메모리에 저장되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1양자화기는 2n-1개의 기준 전압으로 상기 제1비트를 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제k+1양자화기는 2n-k-1개의 기준 전압으로 상기 제k+1비트를 판별하며, 상기 제k+1양자화기의 기준 전압은 상기 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 상기 제1 내지 k비트의 값에 따라 변동하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제k+1양자화기는, 상기 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 상기 제1 내지 k비트의 값과 동일한 제1 내지 k비트를 포함하는 그룹 내의 심볼들 사이에서 상기 제k+1비트를 판별하며, 상기 그룹 내의 인접한 심볼들의 문턱전압의 차이 값은 상기 제k비트가 판별되는 인접한 심볼들의 문턱전압의 차이 값보다 큰 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
6 6
제5항에 있어서, 상기 제k+1양자화기의 기준전압은 상기 그룹 내의 인접한 심볼들의 문턱전압 사이의 중간 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 데이터는 상기 제1비트 내지 상기 제n비트로 저장되는 제1데이터 내지 제n데이터를 포함하며, 상기 제1데이터 내지 상기 제n데이터는 각각 제1오류 정정 부호 내지 제n오류 정정 부호로 인코딩된 후 상기 n-비트 멀티레벨 셀 메모리에 저장되며, 제k오류 정정 부호의 오류 정정 개수는 제k+1오류 정정 부호의 오류 정정 개수보다 큰 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1양자화기 내지 상기 제n양자화기에 의해 판별된 상기 제1비트 내지 상기 제n비트의 값은 상기 제1오류 정정 부호 내지 상기 제n오류 정정 부호를 이용하여 디코딩되며, 상기 디코딩된 후의 상기 제1 내지 k비트의 값을 이용하여 상기 제k+1양자화기가 상기 제k+1비트의 값을 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
9 9
제8항에 있어서,상기 오류 정정 부호는 BCH 부호인 것을 특징으로 하는 메모리 장치의 양자화기
10 10
제1데이터 내지 제n데이터를 각각 제1오류 정정 부호 내지 제n오류 정정 부호로 인코딩하는 제1인코더 내지 제n인코더;상기 인코딩된 제1데이터 내지 제n데이터를 제1비트 내지 제n비트로 저장하는 n-비트 멀티레벨 셀 메모리; 및상기 제1비트 내지 제n비트의 값을 판별하는 제1양자화기 내지 제n양자화기를 포함하며,제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 제1 내지 k비트의 값을 이용하여 제k+1양자화기가 제k+1비트의 값을 판별하며, 상기 n은 2이상의 정수이며 상기 k는 1이상 n-1이하의 정수인,메모리 장치
11 11
제10항에 있어서, 제k오류 정정 부호의 오류 정정 개수는 제k+1오류 정정 부호의 오류 정정 개수보다 큰 것을 특징으로 하는 메모리 장치
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1양자화기 내지 상기 제n양자화기에 의해 판별된 상기 제1비트 내지 상기 제n비트의 값을 상기 제1오류 정정 부호 내지 상기 제n오류 정정 부호를 이용하여 디코딩하는 제1디코더 내지 제n디코더를 더 포함하며, 상기 디코딩된 상기 제1 내지 k비트의 값을 이용하여 상기 제k+1양자화기가 상기 제k+1비트의 값을 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
13 13
제10항에 있어서,상기 오류 정정 부호는 BCH 부호인 것을 특징으로 하는 메모리 장치
14 14
제10항에 있어서, 상기 제1데이터 내지 상기 제n데이터는 셋파티셔닝에 의한 매핑에 의해 상기 메모리에 저장되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
15 15
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1양자화기는 2n-1개의 기준 전압으로 상기 제1비트를 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
16 16
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제k+1양자화기는 2n-k-1개의 기준 전압으로 상기 제k+1비트를 판별하며, 상기 제k+1양자화기의 기준 전압은 상기 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 상기 제1 내지 k비트의 값에 따라 변동하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
17 17
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제k+1양자화기는, 상기 제1 내지 k양자화기에 의해 판별된 상기 제1 내지 k비트의 값과 동일한 제1 내지 k비트를 포함하는 그룹 내의 심볼들 사이에서 상기 제k+1비트를 판별하며, 상기 그룹 내의 인접한 심볼들의 문턱전압의 차이 값은 상기 제k비트가 판별되는 인접한 심볼들의 문턱전압의 차이 값보다 큰 것을 특징으로 하는 메모리 장치
18 18
제17항에 있어서, 상기 제k+1양자화기의 기준전압은 상기 그룹 내의 인접한 심볼의 문턱전압 사이의 중간 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.