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멀티 레벨 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법(MULTI LEVEL MEMORY DEVICE AND ITS DATA SENSING METHOD)

  • 기술번호 : KST2016009479
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, 메모리 셀에 저장된 데이터를 검출해내는 동안 셀전류를 지속적으로 흘릴 필요가 없고, 메모리 셀에 저장된 데이터의 하위 비트를 결정하는 동안 다른 메모리 셀에 저장된 데이터의 상위 비트 결정 동작을 수행할 수 있는 멀티 레벨 메모리 소자를 제공한다.본원의 제1 발명에 따른 멀티 레벨 메모리 소자는, 메모리 셀에 흐르는 셀전류를 소정의 기준치 전류와 비교하여 복수의 상위 비트를 결정하는 상위 비트 결정부; 상기 셀전류를 복제한 셀복제전류를 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 전류/전압 변환부; 상기 셀복제전류를 상기 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 충전시간을 결정하는 충전시간 결정부; 및 상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 복수의 하위 비트를 결정하는 하위 비트 결정부를 포함한다.
Int. CL G11C 16/04 (2006.01.01) G11C 16/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140144746 (2014.10.24)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2155060-0000 (2020.09.07)
공개번호/일자 10-2016-0049085 (2016.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20200911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.06.25)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류승탁 대한민국 대전 유성구
2 진동환 대한민국 서울시 송파구
3 권지욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1018497-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0650788-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0446815-51
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0719288-78
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0719310-96
13 등록결정서
Decision to grant
2020.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0583016-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 셀에 흐르는 셀전류를 소정의 기준치 전류와 비교하여 복수의 상위 비트를 결정하는 상위 비트 결정부;상기 셀전류를 복제한 셀복제전류를 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 전류/전압 변환부;상기 셀복제전류를 상기 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 충전시간을 결정하는 충전시간 결정부; 및상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 복수의 하위 비트를 결정하는 하위 비트 결정부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 전류/전압 변환부는,병렬연결되는 복수의 캐패시터를 포함하는 셀전압충전부;상기 상위 비트 결정부의 출력에 대응하여 상기 셀복제전류가 상기 셀전압충전부 내 복수의 캐패시터 중 어느 하나로 흐르도록 경로를 선택하는 경로선택부; 및상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 상기 셀전압충전부에 충전된 셀전압을 출력하도록 스위칭하는 비교용 스위칭부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 복수의 캐패시터는 서로 다른 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 메모리 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 복수의 캐패시터는 동일한 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 충전시간 결정부는,구간최대셀전류를 통과시킬 수 있는 구간최대셀전류구동부;상기 구간최대셀전류구동부와 전류 미러 타입으로 형성되고, 상기 구간최대셀전류를 복제한 구간최대셀복제전류를 통과시킬 수 있는 구간최대셀복제전류구동부;상기 구간최대셀복제전류가 흐르는 동안 최대충전전압으로 충전하는 구간최대셀전압충전부; 및상기 하위 비트 결정부로부터 출력되는 제1 기준전압과 상기 최대충전전압이 동일하면 충전 종료 신호를 출력하는 충전종료신호발생부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 하위 비트 결정부는,동시적으로 또는 선택적으로 충전이 가능한 기준전압발생부;상기 기준전압발생부가 출력하는 제2 기준전압에 응답하여 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 카운터;상기 제2 기준전압과 상기 셀전압을 비교하는 비교부; 및상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 카운터로부터 출력되어 저장된 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 하위 비트 저장부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
7 7
복수의 A/D 컨버터; 메모리 셀에 흐르는 셀전류를 복제한 셀복제전류를 소정의 셀전압으로 변환하여 저장하는 시간을 결정하도록 형성된 충전시간 결정부; 및상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 상기 메모리 셀에 저장된 데이터의 전체 비트 중 하위 비트를 결정하는 하위 비트 결정부를 포함하고,상기 복수의 A/D 컨버터 각각은, 상기 충전시간 결정부 및 하위 비트 결정부를 공유하는 멀티 레벨 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 복수의 A/D 컨버터 각각은,상기 메모리 셀에 흐르는 셀전류를 소정의 기준치 전류와 비교하여 복수의 상위 비트를 결정하는 상위 비트 결정부; 및상기 셀전류를 복제한 셀복제전류를 상기 셀전압으로 변환하여 저장하는 전류/전압 변환부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 전류/전압 변환부는,병렬연결되는 복수의 캐패시터를 포함하는 셀전압충전부;상기 상위 비트 결정부의 출력에 대응하여 상기 셀복제전류가 상기 셀전압충전부 내 복수의 캐패시터 중 어느 하나로 흐르도록 경로를 선택하는 경로선택부; 및상기 충전시간 결정부로부터 출력되는 충전 종료 신호에 대응하여 상기 셀전압충전부에 충전된 셀전압을 출력하도록 스위칭하는 비교용 스위칭부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 복수의 캐패시터는 서로 다른 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 메모리 소자
11 11
제9항에 있어서,상기 복수의 캐패시터는 동일한 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 레벨 메모리 소자
12 12
제8항에 있어서, 상기 충전시간 결정부는,구간최대셀전류를 통과시킬 수 있는 구간최대셀전류구동부;상기 구간최대셀전류구동부와 전류 미러 타입으로 형성되고, 상기 구간최대셀전류를 복제한 구간최대셀복제전류를 통과시킬 수 있는 구간최대셀복제전류구동부;상기 구간최대셀복제전류가 흐르는 동안 최대충전전압으로 충전하는 구간최대셀전압충전부; 및상기 하위 비트 결정부로부터 출력되는 제1 기준전압과 상기 최대충전전압이 동일하면 충전 종료 신호를 출력하는 충전종료신호발생부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
13 13
제8항에 있어서, 상기 하위 비트 결정부는,동시적으로 또는 선택적으로 충전이 가능한 기준전압발생부;상기 기준전압발생부가 출력하는 제2 기준전압에 응답하여 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 카운터;상기 제2 기준전압과 상기 셀전압을 비교하는 비교부; 및상기 비교부의 출력에 응답하여 상기 카운터로부터 출력되어 저장된 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 하위 비트 저장부를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자
14 14
메모리 셀에 흐르는 셀전류를 소정의 기준치 전류와 비교하여 복수의 상위 비트를 결정하는 단계;상기 셀전류를 복제한 셀복제전류를 소정의 셀전압으로 변환하여 소정 저장시간동안 저장하는 단계;상기 셀복제전류를 상기 소정의 셀전압으로 변환하도록 상기 셀복제전류가 흐르는 충전시간을 결정하는 충전 종료 신호를 출력하는 단계; 및상기 충전 종료 신호에 대응하여 복수의 하위 비트를 결정하는 하위 비트 결정 단계를 포함하고,상기 저장시간과 상기 충전시간은 동일한 시간 동안 동시에 수행되는 멀티 레벨 메모리 소자의 데이터 센싱 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 하위 비트 결정 단계는,계단형의 지수함수적으로 증가하는 기준전압을 발생하는 단계;상기 기준전압에 응답하여 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 단계;상기 기준전압이 상기 셀전압 보다 커지면 상기 하위 비트 카운트 신호를 출력하는 단계를 포함하는 멀티 레벨 메모리 소자의 데이터 센싱 방법
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2 US20160118115 US 미국 FAMILY

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1 US2016118115 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9318195 US 미국 DOCDBFAMILY
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