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서로 다른 특성을 갖는 전극층 및/또는 층간 절연층을 이용하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015141988
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은 복수의 전극층들 각각의 물리적인 구조 혹은 재료 등을 서로 다르게 함으로써, 복수의 전극층들의 문턱 전압 산포를 개선할 수 있고, 따라서, 저장된 데이터를 유지하는 과정 및 판독 과정에서의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020140122650 (2014.09.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1622036-0000 (2016.05.11)
공개번호/일자 10-2015-0090814 (2015.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140010744   |   2014.01.28
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160052927;
심사청구여부/일자 Y (2014.09.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0875671-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0026175-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0634717-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1113043-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1113017-37
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0175450-83
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.04.07 취하 (Withdrawal) 1-1-2016-0338548-35
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0338277-67
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0314150-63
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0414901-11
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0414360-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3차원 플래시 메모리에 있어서,채널층;상기 채널층과 연결되고, 수직적으로 적층되는 복수의 전극층들; 및상기 채널층과 연결되고, 상기 복수의 전극층들과 교대로 배치되며, 수직적으로 적층되는 복수의 층간 절연층들을 포함하고,상기 복수의 전극층들 각각은 서로 다른 물리적인 구조를 갖거나, 서로 다른 물질로 형성되며,상기 복수의 전극층들 중 적어도 두 개의 전극층들 각각은 서로 다른 물질로 형성되고, 상기 복수의 전극층들 중 제1 전극층을 형성하는 재료는 상기 제1 전극층의 상층에 존재하는 제2 전극층의 재료보다 우수한 전기적인 전달 특성을 갖는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 중 제1 전극층의 두께는 상기 제1 전극층의 상층에 존재하는 제2 전극층의 두께보다 두껍게 형성되는 3차원 플래시 메모리
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 각각의 길이 또는 상기 복수의 전극층들 각각의 표면에 형성되는 패턴은 서로 다른 3차원 플래시 메모리
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 복수의 전극층들 각각과 상기 채널층 사이에는 인터레이어 산화막, 실리콘 질화막 및 터널 산화막이 배치되는 3차원 플래시 메모리
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
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10 10
삭제
11 11
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12 12
삭제
13 13
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105940492 CN 중국 FAMILY
2 CN110085597 CN 중국 FAMILY
3 KR102105062 KR 대한민국 FAMILY
4 US09922990 US 미국 FAMILY
5 US20160343728 US 미국 FAMILY
6 WO2015115739 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105940492 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105940492 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN110085597 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 KR102105062 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
5 KR20160055744 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
6 US2016343728 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9922990 US 미국 DOCDBFAMILY
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