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비휘발성 기억 장치 및 그 읽기 방법

  • 기술번호 : KST2015142143
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 기억 장치 및 그 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법을 제공한다. 이 기억 장치는 저항 소자와 저항소자의 일단에 연결되는 선택소자를 포함하는 메모리 셀, 메모리 셀의 일단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인, 메모리 셀의 타단에 연결되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인, 및 선택소자에 연결되고 열 방향으로 진행하는 워드라인을 포함하되, 저항소자의 저항 상태는 하부 비트라인의 전기적 특성에 따라 감지되고, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이룬다. 저항 메모리, 폴리머 메모리, 셀 어레이
Int. CL G11C 16/00 (2006.01.01) G11C 13/02 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01) G11C 16/10(2013.01)
출원번호/일자 1020080068022 (2008.07.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0060120 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2007-0125918 (2007.12.06)
관련 출원번호 1020070125918
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상선 대한민국 서울 강동구
2 김정하 대한민국 서울 성동구
3 최승혁 대한민국 전남 여수시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503491-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
비휘발성 기억 장치의 읽기방법에 있어서, 상기 비휘발성 기억 장치는 선택소자와 상기 선택소자의 일단에 연결되는 저항소자를 포함하는 메모리 셀, 상기 메모리 셀의 일단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 상부 비트라인, 상기 메모리 셀의 타단에 접속되고 행 방향으로 진행하는 하부 비트라인, 상기 선택소자에 접속되고 열 방향으로 진행하는 워드라인, 및 상기 하부 비트라인에 연결된 센스 앰프를 포함하되, 메모리 셀들은 행들과 열들로 배열되어 메모리 셀 에레이를 이루고, 하부 비트라인들은 서로 전기적으로 연결되어 상기 센스 앰프에 연결되고, 상기 선택소자에 연결된 상기 워드라인에 제1 전압을 인가하는 단계; 상기 상부 비트라인에 제2 전압을 인가하는 단계; 및 상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류를 상기 센스 앰프에 의하여 감지하는 단계를 포함하는 비휘발성 기억 장치의 읽기 방법
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1 KR100858688 KR 대한민국 FAMILY

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